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装置説明

本装置は、真空中で成膜材料（主に金属、磁性材料）に電子線を照射することによって、成膜材料を加熱、気化させ、基板上に薄膜を堆積（蒸着）する装置です。装置内に、12個のハースを装備しているため、真空を維持した状態で、異種材料を連続して蒸着することが可能です。また、制御盤を操作することによって、真空排気、試料搬送、成膜など一連の作業を自動で行うことができるため、金属薄膜の形成を容易に実行することができます。

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装置説明

本装置は、到達真空度1×10^-7 Pa以下の超高真空電子線蒸着装置です。3インチウエハー以下の試料に対して、Al、Ti、Au、Ptを成膜することが可能です。また、基板ホルダーを±90度の範囲で傾斜させることができるため、任意の角度での斜め蒸着が行えます。

【仕様】

◇	蒸着方式	電子銃
◇	膜厚測定方式	水晶振動子
◇	ターゲット	Al（×2）、Ti、Au、Pt
◇	試料サイズ	最大3インチφ
◇	膜厚・屈折率分布	5%以内（3インチφ）
◇	到達真空度	1×10-7 Pa
◇	TS間距離	500mm
◇	その他	基板ホルダー回転機構、基板ホルダー傾斜機構

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装置説明

本装置は、真空チャンバー内でターゲット材料にArイオンを衝突させることによって、対向する基板上にターゲット原子を付着させて成膜を行うものであり、ターゲットと基板が垂直方向に対向するサイドスパッタ方式のスパッタ装置です。オートマッチング機能を有するRFマグネトロンスパッタおよびDCマグネトロンスパッタが可能であり、また、DC同士およびDC,RFを用いた2元同時スパッタを行うことができます。最大6インチφの基板を導入でき、成膜室には300℃まで基板加熱が可能な基板テーブルを装備しています。

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装置説明

本装置は、到達真空度1×10^-7 Paの超高真空スパッタ装置です。基板ホルダーを各カソード直上位置に移動してスパッタを行い、また、その場で基板回転することもできます。最大2インチφの基板を導入でき、基板温度は800℃まで加熱可能です。

【仕様】

◇	スパッタ方式	DC/RFマグネトロンスパッタ、反応性スパッタ
◇	電源出力	DC電源：1kW, RF電源：300W
◇	カソード	2インチφ×4式（※）
◇	試料サイズ	最大2インチφ
◇	膜厚・屈折率分布	5%以内（2インチφ）
◇	到達真空度	1×10-7 Pa
◇	プロセスガス	Ar, O2
◇	カソード・基板間距離	75mm±25mm
		※2009年7月時点： Cr, Ti, Al, Au, Pt, SiO2, etc.

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装置説明

本装置は、有機金属原料（TMAまたはTEMAHｆ）と超純水を交互供給し、基板表面で化学反応させることによって、一原子層単位で成膜可能な装置です。この原子層堆積法によってピンホールフリーで、且つ3次元構造においても被覆率の高い均一な薄膜形成が可能です。現在、Al2O3またはHfO2が成膜できます。

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装置説明

本装置は、プラズマを発生させることで原料ガス分子を分解、基板上にフリーラジカルなどの活性種を堆積させ、薄膜を形成するTEOS系プラズマCVD装置です。SiO2薄膜の形成に用いられます。

【仕様】

◇	プラズマ励起方式	セミ無遮蔽型平行平板電極
◇	電源出力	30～300W以下
◇	プロセスガス	TEOS, O2
◇	試料サイズ	最大8インチφ
◇	基板温度制御	最大400℃
◇	その他	PC制御全自動運転機能 プロセスレシピ管理機能

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装置説明

本装置は、石英管内に導入した試料を、真空中、不活性ガス雰囲気中で熱処理することができます。主に、不純物の活性化、金属電極の合金化を目的とした装置です。赤外線ゴールドイメージ炉を装備しているため、高速加熱が可能であり、最高1350℃での熱処理を行うことができます。また、加熱後に冷却用ガスの導入によって、高速冷却するガス冷却機構を装備しています。試料は2cm角以下を一度に4個まで搭載可能です。

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装置説明

本装置は、主にシリコン酸化および基板（シリコン、化合物半導体、セラミックス、金属、他）表面に形成された金属膜（電極等）をアニールする工程で使用します。2段式の独立した熱処理炉を有しているため、基板材料によってプロセスチャンバーを選択することが可能であり、クロスコンタミによるプロセスへの影響を極力抑えることができます。