ICYS事務局

国立研究開発法人 物質・材料研究機構
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お知らせ

論文発表

ICYSリサーチフェロー 笹間 陽介 氏が論文を発表しました。

                            

Self-aligned gate electrode for hydrogen-terminated diamond field-effect transistors with a hexagonal boron nitride gate insulator

Appl. Phys. Lett. 125, 092103 (2024)