Thomas Scheike特別研究員、介川裕章グループリーダーらが、トンネル磁気抵抗 (TMR) 比が室温で世界最高性能となる631%を達成し、従来の最高値を15年ぶりに更新しました
Thomas Scheike特別研究員、介川裕章グループリーダーらが、素子の「界面」を高度に制御することで、トンネル磁気抵抗 (TMR) 比が室温で世界最高性能となる631%を達成し、従来の最高値を15年ぶりに更新しました。最高性能を示した素子では、TMR比が振動して大きく変化する現象が表れ、その振動幅は141%に達します。この現象はトンネル磁気抵抗素子の基本技術として一層進展させるヒントとなり、この成果は磁気センサーの高感度化や磁気抵抗メモリの大容量化の筋道を拓くものです。
《NIMSプレスリリース》素子「界面」の高度な制御で世界最高の磁気抵抗特性を達成 ~超高感度磁気センサー・超大容量磁気メモリへの期待~
プレスリリース中の図 :本研究で開発した積層素子の構造 (図左) において、世界最高の室温TMR比631% (図右) が達成されました。
詳細は下記Appl. Phys. Lett.の論文に掲載されています。
631% room temperature tunnel magnetoresistance with large oscillation effect in CoFe/MgO/CoFe(001) junctions
Thomas Scheike, Zhenchao Wen, Hiroaki Sukegawa, and Seiji Mitani, Applied Physics Letters 122, 112404 (2023).
