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ダイシングソー |
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製品名 |
DAD322 |
メーカー名 |
ディスコ |
装置説明 |
本装置は、最大6インチφの試料をダイヤモンドブレードを取り付けたスピンドルでダイシングを行う装置です。オート/セミオート/マニュアルのアライメント機能を装備し、また低倍と高倍の顕微鏡を任意に切り替えられるため、カッティングマークの確認が容易です。加工対象は、各種シリコン基板、石英基板、サファイア基板です。 |
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【仕様】 |
◇ |
カッティング部：X軸 |
切削可能範囲：162mm
送り速度：0.1～500mm/s |
◇ |
カッティング部：Y軸 |
切削可能範囲：162mm
インデックス範囲：0～160mm/s |
◇ |
カッティング部：Z軸 |
切り残し量入力範囲：0.001～10.000mm |
◇ |
スピンドル部 |
回転数範囲：3000～40000rpm |
◇ |
操作部 |
タッチパネル方式（日本語/英語/中国語から選択） |
◇ |
加工対象材料 |
各種シリコン基板、石英基板、サファイア基板 |
◇ |
試料サイズ |
最大6インチφ |
◇ |
顕微鏡部 |
マクロ顕微鏡（モニタ上倍率：約27倍）
ミクロ顕微鏡（モニタ上倍率：約270倍）
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◇ |
アライメント機能 |
オート/セミオート/マニュアルアライメント |
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スクライビング装置 |
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製品名 |
DPS-301R |
メーカー名 |
ダイトロンテクノロジー |
装置説明 |
本装置は、ダイヤモンドポイントカッターにより、基板表面に正確に罫書き線をいれる装置です。試料観察用の顕微鏡（倍率：42～257倍）と低速・高速・インデックッス送り可能な試料ステージ（精度：1ミクロン）を用い、スクライブ長・スクライブピッチ・スクライブ本数を入力することで任意の位置に適当なスクライブラインを入れることが可能です。また、本装置には基板のエッジを検出することにより基板回転角度の自動補正機能が付属しています。
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【仕様】 |
◇ |
スクライブ方式 |
ダイヤモンドポイントカッタースクライブ方式 |
◇ |
ステージ駆動分解能 |
X, Y：1um |
◇ |
スクライブピッチ精度 |
X, Y：±2um |
◇ |
ステージ位置決め精度 |
X：±5um/100mm, Y：10um/100mm |
◇ |
駆動範囲 |
X：110mm (5相ステッピングモータ)
Y：110mm (ACサーボモータ) |
◇ |
ステージ動作モード |
低速, 高速, ピッチ送り |
◇ |
カッター荷重 |
10～30g |
◇ |
試料ステージ |
175mmφ |
◇ |
試料サイズ |
最大4インチφ |
◇ |
光学系 |
1/2” モノクロCCDカメラ（実質倍率：42 ～ 257倍） |
◇ |
その他 |
自動基板回転角度補正機能
パラメータ登録機能 |
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ブレーキング装置 |
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製品名 |
DBM-401R |
メーカー名 |
ダイトロンテクノロジー |
装置説明 |
本装置は、スクライビング装置により、表面をスクライブされた基板に対し、裏面から先鋭な刃を押し付け、基板結晶面沿って平滑にヘキカイする装置です。スクライビング装置と同様に、試料ステージは低速・高速・インデックッス送りが可能であり、あらかじめ入れられたスクライブラインに合わせたブレーキングが可能です。また、本装置には、基板のエッジを検出することにより基板回転角度の自動補正機能が付属しています。
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【仕様】 |
◇ |
ブレイキング方式 |
基板裏面ブレード接触方式 |
◇ |
ステージ駆動分解能 |
Y：1um |
◇ |
ブレイキングピッチ精度 |
X, Y：±2um |
◇ |
ステージ位置決め精度 |
Y：10um/110mm |
◇ |
駆動範囲 |
Y：110mm (ステッピングモータ) |
◇ |
ステージ動作モード |
低速, 高速, ピッチ送り |
◇ |
ブレード |
幅：80mm |
◇ |
試料ステージ |
194mmφ |
◇ |
試料サイズ |
最大4インチφ |
◇ |
光学系 |
1/2” モノクロCCDカメラ（実質倍率：4 ～ 6倍） |
◇ |
その他 |
自動基板回転角度補正機能
パラメータ登録機能 |
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CMP研磨装置 |
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製品名 |
PM5 |
メーカー名 |
Logitech |
装置説明 |
本装置は、回転する研磨プレート上に、精密に調整されたサンプル冶具を載せ、半導体（化合物・シリコン）の他、酸化物、サファイア、セラミック等の基板材料を研磨・薄片化する装置です。研磨量は冶具に取り付けられたダイヤルゲージにより、その場モニタ可能でありミクロン制度の膜厚制御が可能です。また、ラッピングとポリッシングの両方が可能であり、最終膜厚30ミクロン以下、膜厚バラつき±3ミクロン以上、表面粗さ10nmの鏡面研磨が可能です。
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【仕様】 |
◇ |
プレートスピード |
1～70rpm |
◇ |
プレート径 |
12インチφ |
◇ |
プレート材質 |
ガラス, 鉄, クロス |
◇ |
試料サイズ |
最大3インチφ |
◇ |
その他 |
スラリー自動供給機構
揺動アーム機構
ダイヤルゲージ付精密研磨冶具
ウエハー厚測定機構 |
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室温測定プローバーシステム |
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製品名 |
MX-200/B（プローバー）, B1500A（電気伝導評価装置） |
メーカー名 |
ベクターセミコン（プローバー）,アジレント・テクノロジー（電気伝導評価装置） |
装置説明 |
本装置は、作製した試料表面の電極パッドに直接同軸プローブを接触させて、室温での電気伝導測定や容量測定を行うために使用します。同軸プローブはそれぞれ４基のマニピュレーターによって、位置をコントロールします。最大４インチφウエハーが搭載可能なチャックを装備し、チャック側からも電圧を印加することが可能です。マニュアルプローバー本体は、除振台の上に設置し、かつシールドボックスで密閉されているため、低ノイズの環境で精密な測定を行うことができます。
電流測定、容量測定等の電気伝導特性評価は、測定部、制御部、ディスプレイなど全ての機器構成をひとつの筐体に格納しているパラメータアナライザーで行います。本装置は、I-V測定ユニットを3系統、C-V測定ユニットを1系統、グランドユニットを1系統装備しています。I-V測定ユニットのうちの1系統は、最小電流測定分解能が0.1fA以下であり、超微小電流測定に対応しています。装置には、多種多様な試料の測定に対応可能な測定プログラムが組み込まれているため、容易に測定を実行できます。
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【仕様】 |
プローバー |
電気伝導特性評価 |
◇ |
プローブ |
同軸プローブ |
◇ |
マニピュレータ |
4基（左右それぞれ2基） |
◇ |
マニピュレータ可動範囲 |
X, Y, Z：7.5 mm以下 |
◇ |
マニピュレータ動作分解能 |
0.01mm |
◇ |
試料ステージ駆動範囲 |
X：100mm, Y：150mm, θ：±30 度 |
◇ |
ステージ位置決め分解能 |
10um以下 |
◇ |
試料観察光学系 |
15 ～ 80倍 |
◇ |
試料サイズ |
5mm角～ 100mmφ |
◇ |
その他 |
電圧印加可能ステージ除振台, シールドボックス装備 |
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◇ |
I-V測定用端子 |
4ユニット |
C-V測定用端子 |
1ユニット |
グランド端子 |
1ユニット |
◇ |
最大印加電圧 |
200V |
◇ |
電圧印加分解能 |
5uV |
◇ |
最大測定電流 |
100mA |
◇ |
最小電流分解能 |
0.1fA |
◇ |
その他 |
Excel形式データ出力機能イメージファイル形式グラフ出力機能組み込みプログラム多数搭載外部機器制御可能 |
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極低温プローバーシステム |
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製品名 |
極低温プローバー：GRAIL10-308-6-4K-LV-SCM
半導体パラメータアナライザ：4200-SCS |
メーカー名 |
極低温プローバー：ナガセテクノエンジニアリング
半導体パラメータアナライザ：ケースレーインスツルメンツ |
装置説明 |
本装置は、無冷媒式の極低温プローバーと、同機にセットした試料を測定するための半導体パラメータアナライザとを組み合わせた測定システムです。
極低温プローバーは、無冷媒で最低温5K以下まで冷却でき、室温までの任意の温度に設定することが可能です。試料への電圧電流印加は、6基のマニピュレータに接続されている同軸プローブと試料ステージから可能なため、多様な測定に対応可能です。また、同機に搭載されている超伝導マグネットを使用することによって、±1.5Tの垂直磁場を印加することができるため、ホール測定などの磁場測定も可能です。
半導体パラメータアナライザは、プリアンプを搭載したI-V測定用ユニットを6系統、グラウンドユニットを1系統、C-V測定用ユニットを1系統装備しています。また、同機には多種多様な測定に対応可能な測定プログラムと、磁場を制御するためのプログラムが組み込まれているため、容易に測定が実行できます。
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【仕様】 |
極低温プローバー |
半導体パラメータアナライザ |
◇ |
試料冷却方式 |
無冷媒式 |
◇ |
温度範囲 |
5K以下～室温 |
◇ |
測定プローブ |
同軸DCプローブ（6式） |
◇ |
電流ノイズ |
±100fA |
◇ |
リーク電流 |
±100fA |
◇ |
試料サイズ |
20mm角以下 |
◇ |
マグネット冷却方式 |
液体ヘリウム冷媒移送式 |
◇ |
磁場印加方向 |
試料面垂直方向（±1.5T） |
◇ |
その他 |
液体ヘリウムは使用者負担 |
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◇ |
I-V測定用端子 |
6ユニット（プリアンプ装備） |
C-V測定用端子 |
1ユニット |
グランド端子 |
1ユニット |
◇ |
最大印加電圧 |
200V |
◇ |
電圧印加分解能 |
5uV |
◇ |
最大測定電流 |
100mA |
◇ |
最小電流分解能 |
0.1fA |
◇ |
その他 |
多種測定プログラム搭載
磁場制御プログラム搭載 |
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ワイヤーボンダー |
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製品名 |
MODEL 7476D |
メーカー名 |
West Bond |
装置説明 |
本装置は、作製した試料の諸特性をチップキャリアなどのパッケージを用いて測定する際、試料表面に形成されたミクロンオーダーの電極パッドとパッケージの電極パッドとを結線するために使用します。アルミ線、金線を用いた45度および90度でのボンディングが可能な超音波／超音波熱圧着ウェッジボンダーです。X-Y-Z方向3軸マニピュレーターを装備しており、正確にマニュアルでワイヤーボンディングを行うことができます。
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【仕様】 |
◇ |
ボンディング方式 |
超音波/超音波熱圧着ウェッジボンダー |
◇ |
ボンディングウェッジ |
45度, 90度タイプ |
◇ |
ワイヤー材質 |
Al, Au |
◇ |
超音波出力 |
最大4W (0 ～ 999目盛付) |
◇ |
超音波印加時間 |
最大999ms (0 ～ 999目盛付) |
◇ |
マニピュレータ |
X, Y, Z 3軸マニピュレータ |
◇ |
荷重 |
18～90g |
◇ |
ワークホルダー温度 |
常温～300℃ |
◇ |
試料サイズ |
最大50mm角基板, DIPパッケージ |
◇ |
その他 |
パラメータ表示機能
パラメータ登録機能 |
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ワイヤーソー |
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製品名 |
CS-203 |
メーカー名 |
ムサシノ電子 |
装置説明 |
本装置は、ダイヤモンドワイヤーの往復運動を利用してサンプルを切断する装置です。柔らかい材料から硬い材料までさまざまな材料で使用可能です。例えば、半導体基板、ガラス、石英などの切断が可能です。 |
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【仕様】 |
◇ |
ワイヤー |
ダイヤモンド電着ワイヤー |
◇ |
ワイヤー幅 |
200um |
◇ |
冷却方式 |
ウォーターシャワー冷却方式 |
◇ |
試料サイズ |
最大100mm角基板 |
◇ |
切断加工基板 |
ガラス、石英、半導体基板など |
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