製品名

メーカー名

装置説明

本装置は、集束Gaイオンビームを照射することによって、試料の任意のエリアに対して、微細加工を施すことができます。加速電圧が可変であるため、試料、目的に合った任意パターンを加工することが可能です。走査電子顕微鏡（FE-SEM）も搭載しているため、二次電子像を観察しながら、微細加工、TEM試料作製などを行うことができます。また、カーボンデポジションガスをイオンビームもしくは電子ビーム照射エリア近傍に吹き付けることによって、任意のエリアにカーボンを堆積することが可能です。

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装置説明

本装置は、集束Gaイオンビームを照射することによって、試料の任意のエリアに対して、微細加工およびWデポジションを施すことができます。試料ステージを90度垂直回転させることが可能なため、試料表面の加工だけでなく、試料断面に直接イオンビームを照射し、加工を施すことが可能です。また、走査電子顕微鏡（FE-SEM）を搭載しているため、二次電子像を観察しながらの加工を行うことができます。

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装置説明

本装置は、電界放出形電子銃を用い、加速電圧は0.5～30kV可変、さらに試料ステージに減速電界を印加することにより0.1～2.0kVの低エネルギーで電子線を基板に照射することが可能であり、帯電しやすい試料でも1～2nmの高い二次電子分解能が得られます。また、電磁界直交信号検出法により二次電子と反射電子の信号比を制御し、様々な材料で高コントラストなSEM像が得られます。ステージは（X、Y、Z、R、T）の5軸全てがモーター駆動、容易にステージコントロールが可能です。さらに、測長機能を用い自動・手動による寸法および角度の測定が可能です。

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装置説明

走査電子顕微鏡用試料等にターゲットをコーティングする装置です。マグネトロン電極の採用により、試料の損傷を少なくコーティングできます。標準ターゲットは、白金（Pt）です。
本装置にはカーボンコーティングユニットを付属しているため、カーボン(C)コーティングも可能です。カーボンは原子番号が小さいので反射電子象観察やX線分析を行う際の試料表面の導電処理に最適です。

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装置説明

本装置は、極微細加工を施した立体ナノ構造の形状計測や、ナノ粒子、ナノチューブ等のナノ材料の形状観察に使用します。ステージには、最大6インチφ、22mm以下の厚さの試料を搭載でき、1スキャンでXY方向に90um、z方向に6umの計測が可能です。また、カンチレバー自動交換機構やレシピ登録自動測定機能を有しているため、効率良く測定を行うことが可能です。コンタクトモード測定（AFM）、共振モード測定（DFM）、摩擦力顕微鏡モード測定（FFM）、位相モード測定（PM）、SISモード測定（※）に対応しています。
（※）SISモード測定…測定ポイントのみ探針を接近させ、それ以外の時は探針を待避させ、試料形状に合わせて走査スピードを自在にコントロールする測定。

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装置説明

本装置は、光源にスポット径0.8 mm のHe-Neレーザー(波長=632.8nm)を用い、 回転位相子法により反射光の偏光状態測定し、測定値(Δ、ψ)の領域に関係なく高精度な膜厚・屈折率の算定が可能です。測定は、X-Y-Z自動ステージ、オートフォース機能により容易に測定を行うことができ、また、付属のソフトウェアでは測定結果の解析の他、シミュレーション機能も含まれます。

【仕様】

◇	測定方式	回転位相子法
◇	光源	0.8mW  He-Neレーザー （波長：632.8nm）
◇	ビーム径	0.8mmφ
◇	入射角	50, 60, 70度
◇	測定精度	Δ=±0.01度, Ψ=0.01度
◇	解析精度	膜厚：0.1Å
◇	試料ステージ	6インチφ以下
◇	その他	オートフォーカス機能 CCDオートコリメータ 解析・シミュレーションソフト 測定レシピ管理機能

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装置説明

本装置は、先端がダイヤモンドのスタイラス（触針）を用いて、各種基板上の膜などの段差、粗さ、表面形状を測定するために使用します。試料ステージは最大6インチφの基板に対応しており、ウエハー上の全エリアの多点測定が可能です。測定再現性が8Å(1σ)以下であるため、高精度な段差測定、表面形状評価を容易に行うことができます。

【仕様】

◇	分解能	1.19pm (±10umレンジ) ／ 23.8pm (400umレンジ)
◇	試料サイズ	6 インチφ
◇	走査距離	10mm
◇	膜厚測定範囲	最大400um
◇	測定再現性	8Å以下＠1σ（保証有）
◇	試料移動範囲	X方向：150mm, Y方向：80mm, 回転角：360度
◇	サンプリングレート	2,5, 10, 20, 50, 100, 200um/s

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装置特徴

１．405nm半導体レーザーによる高分解能観察が可能
２．白色光源による明視野観察が可能
３．レーザー光源および白色光源での微分干渉観察が可能
４．試料寸法，材料，形状を問わない（100mm×100mm以下の範囲）
５．非接触での2次元，3次元計測が可能
６．平面測定は測定値±２％，高さ測定は0.2+測定長/100mmの正確性

【仕様】

◇	光源	405nm半導体レーザー
◇	分解能	XY：0.12um, Z：0.01um
◇	試料サイズ	100mm×100mm
◇	繰り返し性	XY：3σ=0.02um, Z：1σ=0.012um (対物レンズ100倍時)
◇	正確性	XY：測定値の±2%以内, Z：0.2+（L/100）um以下
◇	その他	微分干渉ユニット

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装置説明

本装置は、回転対陰極型の強力X線源と4結晶法モノクロメータ、さらにX線コリメータを備えた光学系によって、サンプル上で最小φ50μmの微小領域に強力な平行X線ビームの照射が可能であり、薄膜材料の高分解能X線回折測定が行えます。