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装置説明

本装置は、ZrO/W熱電界放射型電子銃と100kVのビーム加速電圧を用いることで、最小1.8nmφのスポットビームを長時間安定して照射することが可能であり、数nmレベルの超微細パターンを高精度で描画することが出来ます。また、サブnmのビーム位置決め精度およびステージ位置読み取り精度により数十nmのパターンつなぎ精度が得られます。さらに、ビーム電流量はpAからnAまで可変であり、高精度・高速描画に対応します。

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装置説明

本装置は、テレセントリック光学系とDMD(Digital Micromirror Device)を使用し、g線～i線光源用レジストを塗布した基板に波長405nmの半導体レーザーを照射することによって、PC上で作画した任意パターンをフォトマスク（レチクル）を用いることなく、レジスト上に転写できるマスクレス露光装置です。±1umの位置決め精度、±1umの重ね合わせ精度を有しており、最小1um程度の任意パターンが再現性良く、短時間で実現できます。また、本装置を用いることによって、マスクアライナーに使用するフォトマスク(4インチ角)を作製することもできます。

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装置説明

本装置は、回折効果を補正するよう最適化された光学系によりサブミクロンのパターンが転写・形成可能です。また、露光方式にはフォトマスクとウエハーを機械的に近接させるソフトコンタクト、さらに窒素パージにより押し付けるハードコンタクト、フォトマスクとウエハー間の真空引きを行いギャップを小さくするバキュームコンタクトなどの方式があり、各種ウエハーの状態に応じた高解像度露光が可能です。さらに、表面二重露光アライメント精度、表面・裏面アライメント精度ともに、サブミクロンの精度を有し、高精度の重ね合わせ露光を可能にします。

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装置説明

本装置は、石英チャンバー内に、O2またはCF4の反応性ガスのプラズマを生成することによって、各種基板上に塗布したレジストを除去するために使用します。0～600Wの範囲で出力設定が可能な高周波電源を装備し、マッチング調整はオートチューニングであるため、様々な基板、レジスト材料に対して、容易に処理を行うことができます。最大6インチφの基板を導入でき、処理時間は、1秒～99分59秒の範囲でタイマー設定することが可能です。

【仕様】

◇	プラズマモード	ダイレクトプラズマ方式
◇	高周波出力	0～600W連続可変
◇	反応ガス	O2, CF4
◇	試料サイズ	最大6インチφ
◇	処理時間設定	1秒～9時間59分59秒

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装置説明

本装置は、レジストアッシング、溶剤残留物の除去、ウエハークリーニング、クロムマスククリーニングなどの洗浄工程を高濃度オゾンと紫外線照射の相互作用によって効率的に行うことができます。試料ステージは最大8インチφの基板に対応しており、またステージ温度は室温～300℃の範囲で任意に設定することが可能です。オートパージ機構が装備されているため、タイマーで処理時間を設定することによって、一連の作業を自動で行うことができます。

【仕様】

◇	紫外線ランプ	波長　253.7nm 及び 184.9nm （110W出力）
◇	オゾナイザー	無声放電方式　高濃度オゾナイザー
◇	試料サイズ	最大8 インチφ
◇	ステージ温度	室温 ～ Max 300℃ (抵抗加熱方式）
◇	タイマー	0～99時間99分（任意設定可能）