国立研究開発法人 物質・材料研究機構　機能性材料研究拠点

学歴
1997年　東北大学 工学部 応用物理学科 卒業

1999年　東北大学大学院 工学研究科 応用物理学専攻 修了

2007年　博士(工学)　東北大学

職歴
1999-2011年　日立電線株式会社 技術研究所　研究員

2011-2017年　独立行政法人 物質・材料研究機構　主任研究員

2018年-現在　国立研究開発法人 物質・材料研究機構　主幹研究員

学会活動等
2006-2008年　応用物理学会 応用電子物性分科会 幹事

2008年-2020年　応用物理学会 結晶工学分科会 幹事

2017年-2020年　応用物理学会 代議員

2020年　応用物理学会 結晶工学分科会 顧問

2003年　応用物理学会 講演奨励賞
   「ボイド形成剥離法を用いたGaN自立基板の作製」

2005年　JJAP論文奨励賞
   "Preparation of Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation"

2009年　科学技術分野における文部科学大臣表彰　若手科学者賞
   「ボイド形成剥離法による高品質大型GaN基板作製技術の研究」

2011年　市村産業賞　功績賞
   「大型高均一GaN 基板の量産技術開発」

原著論文
In-plane orientation control of (001) of κ-Ga₂O₃ by epitaxial lateral overgrowth through a geometrical natural selection mechanism
Y. Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Takashi Shinohe
Jpn. J. Appl. Phys.59 (2020) 115501

Elimination of threading dislocations in α-Ga₂O₃ by double-layered epitaxial lateral overgrowth
Katsuaki Kawara,Y. Oshima,Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe
Appl. Phys. Express 13 (2020) 075507

Rapid Growth of α-Ga₂O₃ by HCl-Boosted Halide Vapor Phase Epitaxy and Effect of Precursor Supply Conditions on Crystal Properties
Y. Oshima, K. Kawara, T. Oshima, M. Okigawa, T. Shinohe
Semicond. Sci. Technol.35 (2020)　055022

Phase-controlled epitaxial lateral overgrowth of α-Ga₂O₃ by halide vapor phase epitaxy
Y. Oshima, K. Kawara, T. Oshima, M. Okigawa, T. Shinohe
Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) 025512

Chlorine-based inductive coupled plasma etching of α-Ga₂O₃
Z. A. Jian, Y. Oshima, S. Wright, K. Owen, E. Ahmadi
Semicond. Sci. Technol. 34 (2019) 035006

Epitaxial lateral overgrowth of α-Ga₂O₃ by halide vapor phase epitaxy
Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, S. Fujita
APL Materials 7 (2019) 022503

Growth and etching characteristics of (001) β-Ga₂O₃ by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Y. Oshima, E. Ahmadi, S. Kaun, F. Wu, J. S Speck
Semicond. Sci. Technol. 33 (2018) 015013

n-type dopants in (001) β-Ga₂O₃ grown on (001) β-Ga₂O₃ substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
S. H. Han, A. Mazue, E. Ahmadi, T. Mates, Y. Oshima, J. S. Speck
Semicond. Sci. Technol. 33 (2018) 045001

Phonon Lifetime Observation in Epitaxial ScN Film with Inelastic X-Ray Scattering Spectroscopy
H. Uchiyama, Y. Oshima, R. Patterson, S. Iwamoto, J. Shiomi, K. Shimamura
Phys. Rev. Lett. 120 (2018) 235901

Schottky barrier height of Ni to β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ with different compositions grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
E. Ahmadi, Y. Oshima, F. Wu, J. S Speck
Semicond. Sci. Technol. 32 (2017) 035004

Ge doping of β-Ga₂O₃ films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
E. Ahmadi, O. S. Koksaldi, S. W. Kaun, Y. Oshima, D. B. Short, U. K. Mishra, J. S. Speck
Appl. Phys. Express 10 (2017) 041102

Demonstration of β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃ modulation doped field-effect transistors with Ge as dopant grown via plasma-assisted molecular beam epitaxy
E. Ahmadi, O. S. Koksaldi, X. Zheng, T. Mates, Y. Oshima, U. K. Mishra, J. S. Speck
Appl. Phys. Express 10 (2017) 071101

Cathodoluminescence study on the impurity behaviors at threading dislocations in GaN
J. Wang, Y. Oshima, Y. Cho, T. Sekiguchi
Superlattices and Microstructures 99 (2016) 77

Composition determination of β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ layers coherently grown on (010) β-Ga₂O₃ substrates by high-resolution X-ray diffraction
Y. Oshima, E. Ahmadi, S. C. Badescu, F. Wu, J. S. Speck
Appl. Phys. Express 9 (2016) 061102

Chlorine-based dry etching of β-Ga₂O₃
J. E. Hogan, S. W. Kaun, E. Ahmadi, Y. Oshima and J. S. Speck
J. Appl. Phys. 118 (2015) 085301

Epitaxial growth of phase-pure ε-Ga₂O₃ by halide vapor phase epitaxy
Y. Oshima, E. G. Villora, Y. Matsushita, S.Yamamoto, K. Shimamura
J. Appl. Phys. 118 (2015) 085301

Thermal and piezoelectric properties of La₃Ta_0.5Ga_5.1Al_0.4O₁₄ (LTGA) for high temperature sensors
X. Fu, E. G. Villora, Y. Oshima, K. Shimamura, N. Ohashi
J. Alloys Compd. 647 (2015) 1086

Halide vapor phase epitaxy of twin-free α-Ga₂O₃ on sapphire (0001) substrates
Y. Oshima, E. G. Villora, K. Shimamura
Appl. Phys. Express 8 (2015) 055501

Quasi-heteroepitaxial growth of β-Ga₂O₃ on off-angled sapphire (0001) substrates by halide vapor phase epitaxy
Y. Oshima, E. G. Villora, K. Shimamura
Journal of Crystal Growth 410 (2015) pp.53-58

Hydride vapor phase epitaxy and characterization of high-quality ScN epilayers
Y. Oshima, E. G. Villora, K. Shimamura
J. Appl. Phys. 115 (2014) 153508

Hardness control for improvement of dislocation reduction in HVPE-grown freestanding GaN substrates
H. Fujikura, Y. Oshima, T. Megro, T. Saito
Journal of Crystal Growth 350 (2012) 38

Properties of Ge-doped, High-quality Bulk GaN Crystals Fabricated by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Y. Oshima, T. Yoshida, K. Watanabe, T. Mishima
Journal of Crystal Growth 312 (2010) pp.3569-3573

Ultrahigh-Speed Growth of GaN by Hydride Vapor Phase Epitaxy
T. Yoshida, Y. Oshima, K. Watanabe, T. Tsuchiya, and T. Mishima
phys. stat. sol. (c) 8 (2010) pp.2110-2112

Fabrication of 3-inch Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
T. Yoshida, Y. Oshima, T. Eri, K. Watanabe, M. Shibata and T. Mishima
phys. stat. sol. (a) 205 (2008) pp.1053-1055

Preparation of 3-inch Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
T. Yoshida, Y. Oshima, T. Eri, K. Ikeda, S. Yamamoto, K. Watanabe, M. Shibata, T. Mishima
Journal of Crystal Growth 310 (2008)pp.5-7

Thermal and Electrical Properties of High-quality Freestanding GaN Wafers with high carrier concentration
Y. Oshima, T. Yoshida, T. Eri, M. Shibata and T. Mishima
Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) pp.7685-7687

Thermal and Optical Properties of Bulk GaN Crystals Fabricated through Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation
Y. Oshima, T. Suzuki, T. Eri, Y. Kawaguchi, K. Watanabe, M. Shibata and T. Mishima
J. Appl. Phys. 98 (2005) 103509

Preparation of Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation
Y. Oshima, T. Eri, M. Shibata, H. Sunakawa, K. Kobayashi, T. Ichihashi and A. Usui
Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L1-3

Role of TiN Film in the Fabrication of Freestanding GaN Wafers Using Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation
A. Usui, T. Ichihashi, K. Kobayashi, H. Sunakawa, Y. Oshima, T. Eri and M. Shibata
phys. stat. sol. (a) 194 (2002) pp.572-575

Fabrication of Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor-Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation
Y. Oshima, T. Eri, M. Shibata, H. Sunakawa and A. Usui
phys. stat. sol. (a) 194 (2002) pp.554-558

著書・総説
・Gallium Oxide Materials Properties, Crystal Growth, and Devices (Springer, 2020)
　　　Chapter 11 "Halide Vapor Phase Epitaxy 2-Heteroepitaxial Growth of α- and ε-Ga₂O₃"
　　　ISBN: 9783030371524
・Materials issues and devices of α- and β-Ga₂O₃
　　　E. Ahmadi and Y. Oshima
　　　J. Appl. phys. 126 (2019) 160901
・ Handbook of Solid State Chemistry (Wiley, 2017)
　　　Part 2, Chapter 16 “Growth of wide bandgap semiconductors by halide vapor phase epitaxy”
　　　ISBN: 9783527691036
・「バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-」(シーエムシー出版 2011年)
　　　II-1章「バンドギャップエンジニアリングにおける結晶成長技術」
　　　ISBN-10: 4781305083
・「発光・照明材料」(日刊工業新聞社　2010年)
　　　2.2.2節 「GaN」
　　　ISBN-10: 4526065749
・"Technology of Gallium Nitride Crystal Growth" (Springer, 2010)
　　　Chapter4 "Freestanding GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy using Void-Assisted Separation Technology"
　　　ISBN-10: 3642048285
・「高輝度LED材料のはなし」(日刊工業新聞社　2005年)
　　　第3章「GaNバルク基板」
　　　ISBN-10: 4526055573

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