NIMS-PCMC Advanced Materials Group
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(Ph.D) レウンチャン・パクプーン

NIMS PD 研究員
機能開発グループ
光触媒材料センター
独立行政法人物質・材料研究機構
305-0047　茨城県つくば市千現１−２−１
TEL: +81-29-851-3783
FAX:+81-29-859-2301
e-mail: REUNCHAN.Pakpoom[at]nims.go.jp


学歴
博士 * サラナリー工科大学, タイ
学士 * カセツァート大学, タイ


研究歴
2010.11-present * NIMS PD研究員
2009.11-2010.10 * PD研究員・アジア太平洋理論物理センター、浦項（ポハン）、韓国
2006.9-2007.6 * 助手・カリフォルニア大学サンタバーバラ校、米国
2004-2009 * 助手・サラナリー工科大学



専門分野
* Ⅲ−Ⅴ族とⅡ−Ⅵ族半導体における格子欠陥の電子特性
* バンドギャップの広い半導体での電子構造と複合格子欠陥の形成
* 半導体の電子的性質に寄与する水素や二原子分子
* 窒化物や酸化物中での欠陥や不純物
* 水素吸蔵材料


発表論文
  1. Hydrogen doping in indium oxide: An ab-initio study
    Sukit Limpijumnong, Pakpoom Reunchan, Anderson Janotti, and Chris G. Van de Walle
    Phys. Rev. B80,193202(2009)

  2. Carbon-nitrogen molecules in GaAs and GaP
    Sukit Limpijumnong, Pakpoom Reunchan, Anderson Janotti, and Chris G. Van de Walle
    Phys. Rev. B77,045505(2008)

  3. Mutual passivation of electrically active and isovalent impurities in dilute nitrides
    A. Janotti, P. Reunchan, S. Limpijumnong, and C. G. Van de Walle
    Phys. Rev. Lett100,195209(2008)

  4. Evidence for native-defect donors in n-type ZnO
    D.C. Look, G.C. Farlow, Pakpoom Reunchan, Sukit Limpijumnong, S.B. Zhang, and K. Nordlund
    Phys. Rev. Lett95,225502(2005)