Seiichiro II
学歴
1997.3 熊本大学工学部材料開発工学科
1999.3 熊本大学大学院工学研究科材料開発工学専攻
2002.3 熊本大学大学院自然科学研究科生産システム工学専攻、博士(工学)の学位取得
職歴
2002.4 – 2004.9 東京大学大学院工学系研究科 総合研究機構 研究員
2004.9 – 2006.3 九州大学産学連携センター 客員研究員
2004.9 – 2006.3 財団法人福岡県産業・科学技術振興財団 研究員
2008.4 – 2008.9 崇城大学工学部機械工学科 准教授
2008.4 – 2016.3 独立行政法人物質・材料研究機構 主任研究員
2009.8 – 2009.12 ウィーン大学 物理学部 Guest Scientist
2014.1 – 2014.12 文部科学省 研究振興局 参事官(ナノテクノロジー・材料担当)付
2014.1 – 2015.3 物質・材料研究機構 企画調整室 運営主任
2016.4 – 2017.3 物質・材料研究機構 経営戦略室 運営主幹
2016.4 – 物質・材料研究機構 主幹研究員
2019.1 - 2019.3 熊本大学客員教授(非常勤講師:2019年1 月〜2019年3月)
2021.1 - 2022.3 熊本大学客員教授(2021年6月〜2022年3月)
主な受賞歴
1997.3 熊本大学材料開発工学科材料コース奨励賞
2004.1 Third place winner for the poster sessions at 28th International Cocoa Beach Conference and Exposition on Advanced Ceramics & Composites
2004.3 第54回日本金属学会組織写真賞B部門奨励賞
2006.9 日本金属学会論文賞(まてりあ論文部門)
2008.3 第58回日本金属学会組織写真賞B部門奨励賞
2017.3 Outstanding contribution in reviewing, Materials Characterization
2022.9 日本金属学会 論文賞
2023.1 Best Reviewer in 2023, Materials Transactions
2024.5 Highly cited Paper in 2024, Materials in the “Advanced Materials Characterization” section
2025.3 Best Reviewer in 2025, Materials Transactions
主要論文
(1) S. Ii, (Review) “Quantitative characterization by transmission electron microscopy and its application to interfacial phenomena in crystalline materials”, Materials, Vol.17 (2024), 578 (23 Pages).
(2) S. Ii, T. Enami, T. Ohmura and S. Tsurekawa, “Direct measurement of shear stress for dislocation transferring across {111} 3 grain boundary in aluminum bicrystal via in-situ straining TEM”, Scripta Materialia, Vol.221(2022), 114953
(3) H.X. Li, S. Gao, Y. Tomota, S. Ii, N. Tsuji, T. Ohmura, “Mechanical response of dislocation interaction with grain boundary in ultrafine-grained interstitial-free steel.” Acta Materialia, Vol.206(2021), 116621.
(4) 中野克哉、竹田健悟、井誠一郎、大村孝仁、“ナノインデンテーション法を用いた粒界強度の評価”、日本金属学会誌、85巻(2021)、40-48.
(5) S. Ii, K. Hirayama, K. Matsunaga, H. Fujii and S. Tsurekawa, “Direct measurement of local magnetic moments at grain boundaries in iron”, Scripta Materialia, Vol.68(2013), 253-256
