イベント
第79回先端計測オープンセミナー
「コヒーレントフォノン分光による「埋もれた界面」電場の非破壊評価」
2016年6月16日 (木) 15:30 ~ 16:30
会場：
千現地区 研究本館8階 中セミナー室
講演者：
石岡邦江
表面物性計測グループ
表面物性計測グループ
表題：
コヒーレントフォノン分光による「埋もれた界面」電場の非破壊評価
講演要旨：
ガリウム砒素GaAsやガリウム燐GaPといったIII-V族化合物半導体は、光エレクトロニクスにおいて重要な役割を果たしている。特にGaPは産業的に最も重要な半導体であるシリコンSiと格子整合がよく、欠陥を導入することなく既存の半導体電子デバイス技術に組み込むことができると期待されている。GaP/Si界面の原子構造は電子顕微鏡によって明らかにされているが、界面の電子状態は欠陥などの影響を強く受けるため評価することが難しい。本講演では近紫外域400 nmフェムト秒バルスレーザーを光源としたコヒーレントフォノン分光をこの界面に適用し、埋もれたGaP/Si界面の電場を非破壊で評価した結果を紹介する。