半導体ナノ構造の創製研究
　MBE（液滴エピタキシー），MOCVD，電子線誘起蒸着などの手法を用いて半導体量子ナノ構造の作製と構造解析，機能化を中心に研究を進めています。平成１８年度に始まった第２期中期プロジェクト研究では，(1)GaAs系量子ドット，二連量子ドット，１重量子リング，および，２重量子リングの作製技術を高度化して，基板面方位の工夫などにより結晶品質の向上と粒径・形状・密度制御技術を精緻化，(2)光励起による室温GaAs量子ドットレーザーを実現，(3)GaAs単一量子ドット励起子発光におけるアンチバンチングを実証，(4)HfO2/GaAs系CMOSについて極薄Ge層の挿入による周波数分散の小さいC-V特性を達成，(5)GaAs量子ドットの１０層構造太陽電池を作製して光起電力を確認，などの成果を上げました。

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