半導体集積回路は、21世紀を迎えさらに高集積化が期待されていますが、個々のデバイスの大きさは今やナノメートルの世界に辿り着きつつあります。
この潮流は、デバイスサイズ、集積度の経年変化を示すムーアの法則として
知られています。(図1）　この図からもわかるように、このまま微細化が進めば、10年から15年後にはデバイスサイズが10ナノメートル程度になり、論理
演算素子として現在使われている従来のトランジスタの動作原理は破綻する
と予想され、質的に新しい技術を確立していくことが望まれています。

本研究においては、1990年に量子ドットの自己形成法としては世界に先駆け
て我々が提案し、現在まで確立してきた量子ドットの独自の創製法である 「液
滴エピタキシィ法」 が、ナノメートルスケールの極微構造を制御性良く、高いスループットで配列させる手法として大きな可能性を持っていることに着目し、これらの方法を用いて上述の問題を解決する為の材料技術を確立することを目的としています。