増田主任研究員が主導したTMR振動の理論研究成果がPhysical Review B (Letter)に掲載され、Editor's Suggestionに選ばれました。また、同時にプレスリリースを行いました。
増田啓介主任研究員、三浦良雄招聘研究員らを中心とする研究チームは、磁気メモリ等に応用されるトンネル磁気抵抗(TMR)について、絶縁層の厚さによってTMR比が振動する現象を説明する新たな理論を提案しました。本成果はPhysical Review B (Letter)に掲載され、Editor’s Suggestionに選ばれました。(Masuda et al., 2025)
また、本成果についてNIMSからプレスリリースを行いました。プレスリリースは以下のリンクからご覧いただけます。