大島 祐一 (オオシマ ユウイチ)
学歴
1997年 東北大学 工学部 応用物理学科 卒業
1999年 東北大学大学院 工学研究科 応用物理学専攻 修了
2007年 博士(工学) 東北大学
職歴
1999-2011年 日立電線株式会社 技術研究所 研究員
2011-2017年 独立行政法人 物質・材料研究機構 主任研究員
2018年-現在 国立研究開発法人 物質・材料研究機構 主幹研究員
学会活動等
2006-2008年 応用物理学会 応用電子物性分科会 幹事
2008年-2020年 応用物理学会 結晶工学分科会 幹事
2017年-2020年 応用物理学会 代議員
2020年 応用物理学会 結晶工学分科会 顧問
2003年 応用物理学会 講演奨励賞
「ボイド形成剥離法を用いたGaN自立基板の作製」
2005年 JJAP論文奨励賞
"Preparation of Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation"
2009年 科学技術分野における文部科学大臣表彰 若手科学者賞
「ボイド形成剥離法による高品質大型GaN基板作製技術の研究」
2011年 市村産業賞 功績賞
「大型高均一GaN 基板の量産技術開発」
原著論文
In-plane orientation control of (001) of κ-Ga2O3 by epitaxial lateral overgrowth through a geometrical natural selection mechanism
Y. Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Takashi Shinohe
Jpn. J. Appl. Phys.59 (2020) 115501
Elimination of threading dislocations in α-Ga2O3 by double-layered epitaxial lateral overgrowth
Katsuaki Kawara,Y. Oshima,Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe
Appl. Phys. Express 13 (2020) 075507
Rapid Growth of α-Ga2O3 by HCl-Boosted Halide Vapor Phase Epitaxy and Effect of Precursor Supply Conditions on Crystal Properties
Y. Oshima, K. Kawara, T. Oshima, M. Okigawa, T. Shinohe
Semicond. Sci. Technol.35 (2020) 055022
Phase-controlled epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
Y. Oshima, K. Kawara, T. Oshima, M. Okigawa, T. Shinohe
Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) 025512
Chlorine-based inductive coupled plasma etching of α-Ga2O3
Z. A. Jian, Y. Oshima, S. Wright, K. Owen, E. Ahmadi
Semicond. Sci. Technol. 34 (2019) 035006
Epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, S. Fujita
APL Materials 7 (2019) 022503
Growth and etching characteristics of (001) β-Ga2O3 by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Y. Oshima, E. Ahmadi, S. Kaun, F. Wu, J. S Speck
Semicond. Sci. Technol. 33 (2018) 015013
n-type dopants in (001) β-Ga2O3 grown on (001) β-Ga2O3 substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
S. H. Han, A. Mazue, E. Ahmadi, T. Mates, Y. Oshima, J. S. Speck
Semicond. Sci. Technol. 33 (2018) 045001
Phonon Lifetime Observation in Epitaxial ScN Film with Inelastic X-Ray Scattering Spectroscopy
H. Uchiyama, Y. Oshima, R. Patterson, S. Iwamoto, J. Shiomi, K. Shimamura
Phys. Rev. Lett. 120 (2018) 235901
Schottky barrier height of Ni to β-(AlxGa1-x)2O3 with different compositions grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
E. Ahmadi, Y. Oshima, F. Wu, J. S Speck
Semicond. Sci. Technol. 32 (2017) 035004
Ge doping of β-Ga2O3 films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
E. Ahmadi, O. S. Koksaldi, S. W. Kaun, Y. Oshima, D. B. Short, U. K. Mishra, J. S. Speck
Appl. Phys. Express 10 (2017) 041102
Demonstration of β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3 modulation doped field-effect transistors with Ge as dopant grown via plasma-assisted molecular beam epitaxy
E. Ahmadi, O. S. Koksaldi, X. Zheng, T. Mates, Y. Oshima, U. K. Mishra, J. S. Speck
Appl. Phys. Express 10 (2017) 071101
Cathodoluminescence study on the impurity behaviors at threading dislocations in GaN
J. Wang, Y. Oshima, Y. Cho, T. Sekiguchi
Superlattices and Microstructures 99 (2016) 77
Composition determination of β-(AlxGa1-x)2O3 layers coherently grown on (010) β-Ga2O3 substrates by high-resolution X-ray diffraction
Y. Oshima, E. Ahmadi, S. C. Badescu, F. Wu, J. S. Speck
Appl. Phys. Express 9 (2016) 061102
Chlorine-based dry etching of β-Ga2O3
J. E. Hogan, S. W. Kaun, E. Ahmadi, Y. Oshima and J. S. Speck
J. Appl. Phys. 118 (2015) 085301
Epitaxial growth of phase-pure ε-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
Y. Oshima, E. G. Villora, Y. Matsushita, S.Yamamoto, K. Shimamura
J. Appl. Phys. 118 (2015) 085301
Thermal and piezoelectric properties of La3Ta0.5Ga5.1Al0.4O14 (LTGA) for high temperature sensors
X. Fu, E. G. Villora, Y. Oshima, K. Shimamura, N. Ohashi
J. Alloys Compd. 647 (2015) 1086
Halide vapor phase epitaxy of twin-free α-Ga2O3 on sapphire (0001) substrates
Y. Oshima, E. G. Villora, K. Shimamura
Appl. Phys. Express 8 (2015) 055501
Quasi-heteroepitaxial growth of β-Ga2O3 on off-angled sapphire (0001) substrates by halide vapor phase epitaxy
Y. Oshima, E. G. Villora, K. Shimamura
Journal of Crystal Growth 410 (2015) pp.53-58
Hydride vapor phase epitaxy and characterization of high-quality ScN epilayers
Y. Oshima, E. G. Villora, K. Shimamura
J. Appl. Phys. 115 (2014) 153508
Hardness control for improvement of dislocation reduction in HVPE-grown freestanding GaN substrates
H. Fujikura, Y. Oshima, T. Megro, T. Saito
Journal of Crystal Growth 350 (2012) 38
Properties of Ge-doped, High-quality Bulk GaN Crystals Fabricated by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Y. Oshima, T. Yoshida, K. Watanabe, T. Mishima
Journal of Crystal Growth 312 (2010) pp.3569-3573
Ultrahigh-Speed Growth of GaN by Hydride Vapor Phase Epitaxy
T. Yoshida, Y. Oshima, K. Watanabe, T. Tsuchiya, and T. Mishima
phys. stat. sol. (c) 8 (2010) pp.2110-2112
Fabrication of 3-inch Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
T. Yoshida, Y. Oshima, T. Eri, K. Watanabe, M. Shibata and T. Mishima
phys. stat. sol. (a) 205 (2008) pp.1053-1055
Preparation of 3-inch Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
T. Yoshida, Y. Oshima, T. Eri, K. Ikeda, S. Yamamoto, K. Watanabe, M. Shibata, T. Mishima
Journal of Crystal Growth 310 (2008)pp.5-7
Thermal and Electrical Properties of High-quality Freestanding GaN Wafers with high carrier concentration
Y. Oshima, T. Yoshida, T. Eri, M. Shibata and T. Mishima
Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) pp.7685-7687
Thermal and Optical Properties of Bulk GaN Crystals Fabricated through Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation
Y. Oshima, T. Suzuki, T. Eri, Y. Kawaguchi, K. Watanabe, M. Shibata and T. Mishima
J. Appl. Phys. 98 (2005) 103509
Preparation of Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation
Y. Oshima, T. Eri, M. Shibata, H. Sunakawa, K. Kobayashi, T. Ichihashi and A. Usui
Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L1-3
Role of TiN Film in the Fabrication of Freestanding GaN Wafers Using Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation
A. Usui, T. Ichihashi, K. Kobayashi, H. Sunakawa, Y. Oshima, T. Eri and M. Shibata
phys. stat. sol. (a) 194 (2002) pp.572-575
Fabrication of Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor-Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation
Y. Oshima, T. Eri, M. Shibata, H. Sunakawa and A. Usui
phys. stat. sol. (a) 194 (2002) pp.554-558
著書・総説
・Gallium Oxide Materials Properties, Crystal Growth, and Devices (Springer, 2020)
Chapter 11 "Halide Vapor Phase Epitaxy 2-Heteroepitaxial Growth of α- and ε-Ga2O3"
ISBN: 9783030371524
・Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
E. Ahmadi and Y. Oshima
J. Appl. phys. 126 (2019) 160901
・ Handbook of Solid State Chemistry (Wiley, 2017)
Part 2, Chapter 16 “Growth of wide bandgap semiconductors by halide vapor phase epitaxy”
ISBN: 9783527691036
・「バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-」(シーエムシー出版 2011年)
II-1章「バンドギャップエンジニアリングにおける結晶成長技術」
ISBN-10: 4781305083
・「発光・照明材料」(日刊工業新聞社 2010年)
2.2.2節 「GaN」
ISBN-10: 4526065749
・"Technology of Gallium Nitride Crystal Growth" (Springer, 2010)
Chapter4 "Freestanding GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy using Void-Assisted Separation Technology"
ISBN-10: 3642048285
・「高輝度LED材料のはなし」(日刊工業新聞社 2005年)
第3章「GaNバルク基板」
ISBN-10: 4526055573
Under construction
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