| 原子番号 |
Atomic number |
33 |
| 原子量 |
Atomic weight |
74.92159(2) |
| 族 |
Group |
5B |
| 周期 |
Period |
4 |
| 電子配置 |
Shell configuration |
2,2,6,2,6,10,2,3 |
| 電気陰性度 |
Electronegativity |
2.18 |
| 単体融点 |
Melting point |
817℃（28atm） |
| 昇華点 |
Sublimation point |
613℃ |
| 熱容量 |
Thermal capacity |
24.6J/K・mol |
| 線膨張率 |
Linear expansion rate |
0.43×10-4/K
0.03×10-4/K |
| 単体密度 |
Density |
5.73 g/dm3 |
| 格子定数 |
Lattice constant |
As-As間2.52Å |
| 空間格子（結晶格子） |
Space lattice |
三方晶系結晶 |
| 用途 |
Uses |
GaAs，InAsなどの化合物半導体の成分，鉛，銅の合金成分として用いられる． |
| 備考: |
Other |
天然に遊離の状態で産出することもあるが，多くは硫化物である．主要鉱物は硫砒鉄鉱FeAsS,雄黄As2S3，鶏冠石As4S4など．
硫化ヒ素（Ⅲ）As2O3を炭素と還元蒸留すると純度99.5～99.9％の灰色ヒ素となる．
ヒ素は化学的性質はリンに類似．常温の空気中では変化しない．400℃で青白い炎をあげて燃え，酸化ヒ素（Ⅲ）となる．ハロゲン，硫黄と直接反応する．単体（蒸気や粉塵），ヒ素化合物とも猛毒である． |
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