Publications 1998-2000
Refereed Paper
9) M. Nesládek, K. Meykens, K. Haenen, L. Stals, T. Teraji, and S. Koizumi, “Low temperature spectroscopic study of n-type diamond”, Phys. Rev. B 59, 14852-14855 (1999).DOI:10.1103/PhysRevB.59.14852
10) M. Nesládek, K. Meykens, K. Haenen, L. Stals, S. Koizumi, and T. Teraji, “Photocurrent and optical absorption spectroscopic study of n-type phosphorous doped CVD diamond”, Diamond Relat. Mater. 8, 882-885 (1999).
DOI:10.1016/S0925-9635(98)00291-X
11) E. Gheeraert, S. Koizumi, T. Teraji, H. Kanda, and M. Nesládek, “Electronic states of boron and phosphorus in diamond”, phys. stat. sol. (a) 174, 39-51 (1999).
DOI:10.1002/(SICI)1521-396X(199907)174:1<39::AID-PSSA39>3.0.CO;2-E
12) K. Haenen, K. Meykens, M. Nesládek, L. Stals, T. Teraji, and S. Koizumi, “Study of the Electronic Structure of the Phosphorus Level in n-type CVD Diamond”, phys. stat. sol. (a), 174, R1-R2 (1999).
DOI:10.1002/(SICI)1521-396X(199907)174:1<R1::AID-PSSA99991>3.0.CO;2-C
13) T. Teraji, S. Koizumi, S. Mita, A. Sawabe, and H. Kanda, “Electrical Contacts for n-Type Diamond,” Jpn. J. Appl. Phys. 38, L1096 - L1098 (1999).
DOI:10.1143/JJAP.38.L1096
14) T. Teraji, S. Koizumi, and H. Kanda, “Ga Ohmic Contacts for n-type Diamond by Ion Implantation” Appl. Phys. Lett. 76, 1303-1305 (2000).
DOI:10.1063/1.126016
15) S. Koizumi, T. Teraji, and H. Kanda, “Phosphorus doped CVD diamond”, Diamond Relat. Mater. 9, 935-940 (2000).
DOI:10.1016/S0925-9635(00)00217-X
16) E. Gheeraert, S. Koizumi, T. Teraji, H. Kanda, and M. Nesládek, “Electronic states of phosphorus in diamond”, Diamond Relat. Mater. 9, 948-951 (2000).
DOI:10.1016/S0925-9635(99)00225-3
17) H. Haenen, K. Meykens, M. Nesládek, G. Knuyt, L. M. Stals, T. Teraji, and S. Koizumi, ”Temperature dependent spectroscopic study of undoped and P-doped CVD diamond films”, Diamond Relat. Mater. 9, 952-955 (2000).
DOI:10.1016/S0925-9635(00)00511-2
18) H. Haenen, K. Meykens, M. Nesládek, G. Knuyt, L. M. Stals, T. Teraji, and S. Koizumi, ”Electronic structure of phosphorus in n-type CVD diamond films: Revised”, phys. stat. sol. (a), 181, 11-16 (2000).
DOI:10.1002/1521-396X(200009)181:1<11::AID-PSSA11>3.0.CO;2-W
19) T. Teraji, S. Koizumi, H. Kanda, “Ohmic contacts for phosphorus-doped n-type diamond”, phys. stat. sol. (a), 181, 129-139 (2000).
DOI:10.1002/1521-396X(200009)181:1<129::AID-PSSA129>3.0.CO;2-O
20) E. Gheeraert, S. Koizumi, T. Teraji, H. Kanda, and M. Nesládek, “Electronic transitions of electrons bound to phosphorus donors in diamond”, Solid State Commun. 113, 577-58, (2000).
DOI:10.1016/S0038-1098(99)00546-3
特許出願
2) 寺地徳之， 小泉 聡 "半導体ダイヤモンドへの低抵抗オーム性電極及びその形成方法" 特願 平成11年第249910号, 1999年9月3日出願 特開 2001-77048, 2001年3月23日公開3) 寺地徳之， 小泉 聡， 神田久生 "マイクロホールを有している金属薄膜の形成方法" 特願 2000-005226, 2000年1月5日出願 特開 2001-192858, 2001年7月17日公開 登録番号 第3265363号 登録日2002年1月11日
4) 寺地徳之， 小泉 聡， 神田久生 "埋め込み金属層を金属電極として持つ単結晶ダイヤモンド電子デバイスとその形成方法" 特願 平成11年第368988号, 1999年12月27日出願 特開2001-185496, 2001年7月6日公開 登録番号 第3303135号 登録日 2002年5月10日