主な実験装置群
半導体ダイヤモンド合成装置
マイクロ波プラズマCVD装置 1号機
ロードロック接続された試料導入チェンバーがあり、超高純度ダイヤモンド結晶を成長できます。12C同位体濃縮も可能です。 真空系は空圧バルブで操作できます。マイクロ波最大発振出力は3kWでパルス発振可能であり、マイクロ波位相は自動整合器で制御します。
マイクロ波プラズマCVD装置 2号機
ボロンドープ用CVD装置です。
マイクロ波プラズマCVD装置 3号機
マイクロ波電源の最大出力が6kWと大きいのが特徴です。同位体制御したダイヤモンド結晶の原料高効率合成に用いています。
プロセス装置
EB蒸着装置
アネルバ製2kW電子ビーム蒸着装置に、LLチェンバーを付けました。電源アルミニウム、チタン、金の蒸着が可能です。室温から200℃の温度範囲で温調しながら蒸着する事が可能です。
VUV/オゾン処理装置
ダイヤモンド表面の水素終端を、室温プロセスで酸素表面に変換できる装置。オゾン雰囲気にさらすだけでは酸化の効果が不十分で、真空紫外線を水素終端表面に直接照射する必要があります。
真空アニール装置
表面分析装置のLLチェンバーに、片側封じ切りの石英管をつけ、そこにフィットするように管状炉を付けただけの、簡単な装置です。シマデンの温調器で加熱制御を行っています。
分析装置
カソードルミネッセンス装置
成長したダイヤモンド薄膜の結晶性をチェックできます。 当機構の渡邊賢司主席研究員が管理しており、非常に使い勝手が良いです。
真空マイクロプローバ メジャージグ製1号機
真空中で、電気的特性評価が可能です。ステージ温度を液体窒素温度から720Kの範囲で制御できます。
真空マイクロプローバ 三和無線製
真空中で、電気的特性評価が可能です。ステージ温度を液体窒素温度から470Kの範囲で制御できます。
高電圧マイクロプローバ メジャージグ製2号機
大気中、あるいは窒素雰囲気で、電気的特性評価が可能です。3kVまでの評価が可能です。
ダイヤモンド表面分析装置
ダイヤモンド表面の表面再構成、電気伝導度、表面ポテンシャルの評価が可能です。
光学顕微鏡 Leica製
微分干渉モードでの評価が可能です。 PCで写真を簡単に管理できます。
ダイヤモンド表面の凹凸が良く判別できます。
光学顕微鏡 Olympus製 BX60 及び 実体顕微鏡 Olympus製 SZ61
微分干渉モードでの評価が可能です。PCで写真を簡単に管理できます。