ページの本文に移動する
ENGLISH
サイトマップ
ここからサイトの主なメニューです
ホーム
HOME
MI
2
Iについて
ABOUT MI
2
I
MI2Iについて
各グループの説明
成果
ACHIEVEMENT
2019年
2018年
2017年
2016年
2015年
イベント
EVENT
フォーラム
チュートリアル
交流会
勉強会
ワークショップ
その他
コンソーシアム
CONSORTIUM
トップ
>
ニュース
>
Band alignment at surfaces and heterointerfaces of Al
2
O
3
, Ga
2
O
3
, In
2
O
3
, and related group-III oxide polymorphs: A first-principles study Yoyo Hinuma, Tomoya Gake and Fumiyasu Oba Phys. Rev. Materials 3, 084605
ニュース
2019
2018
2017
2016
2015
動画ライブラリ
MI
2
Iデータプラットフォーム
MatNavi
AtomWork-Adv
国立研究開発法人
科学技術振興機構
イノベーションハブ構築支援事業
ここからページの本文です
2019.08.23
Band alignment at surfaces and heterointerfaces of Al
2
O
3
, Ga
2
O
3
, In
2
O
3
, and related group-III oxide polymorphs: A first-principles study Yoyo Hinuma, Tomoya Gake and Fumiyasu Oba Phys. Rev. Materials 3, 084605
ここからサイトの主なメニューです
