量子ナノ構造グループ
先端フォトニクス材料ユニット(印刷用)

研究分野：半導体量子ナノ構造の創製研究

GaAs (100) substrate

　当研究グループではNIMSのオリジナル技術である液滴エピタキシーによるGaAs系量子ドットの高度化に取り組んできました。その結果、量子ドットの高品質化を達成したほか、2連量子ドットや量子リングなどユニークな量子ナノ構造の形成にも成功し、その物性を明らかにしてきました。また、量子ドットを成長する基板面方位の工夫により、ドットの形状と電子構造を制御できることも見出しています。高指数面上の液滴成長には未解明な点が多く、STMやRHEEDを使った成長メカニズムの研究も並行して進めています。このほか、Type-II型バンド配列を持つGaSb/GaAs系の液滴量子ドットや等電子トラップと呼ばれる新たな量子ナノ構造の研究、さらにデバイス応用を目指して単一光子源や量子ドットレーザー、Si基板上のIII-V族半導体の形成技術や界面制御の研究も行っています。

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