2010
1. GaSb/GaAs タイプⅡ量子ドットにおけるSb/As 相互拡散の効果
川津 琢也、榊 裕之 第71回応用物理学会学術講演会 |
2. 自己形成InGaAsドット列における異方的な持続性光電流
秋山芳広,川津琢也,野田武司,榊 裕之 第71回応用物理学会学術講演会 |
3. 多重量子井戸構造を有するpinダイオードにおける光電流の温度・構造依存性
Yi Ding,野田武司,間野高明,迫田和彰,榊 裕之 第71回応用物理学会学術講演会 |
4. 液滴エピタキシーによるInGaAs/InP上InAsリング構造の作製
野田武司,間野高明,迫田和彰,榊 裕之 第71回応用物理学会学術講演会 |
5. 重量子井戸構造を有するpinダイオードにおける光電流のバイアス電圧依存性
野田 武司、間野 高明、迫田 和彰 第57回応用物理学会関係連合講演会 |
6. GaAs(001)面上Ga液滴によるナノホール形成のその場STM観察
寺岡輝記,Claudio Somaschini, 東條孝志,小西良明, 砂原米彦, 野田武司, 小西智也, 塚本史郎 第57回応用物理学会関係連合講演会 |
2009
1. 量子ドット太陽電池の可能性と課題
角谷正友、野田武司、竹内正之、川喜多仁 JPI 日本計画研究所主催「新材料・新概念の面から取り組む太陽光発電の課題とその最前線」(2009年2月12日) |
2. 液滴エピタキシーにおけるIn原子の表面拡散過程
野田 武司, 間野 高明, 迫田和彰、榊 裕之 第56回応用物理学関係連合講演会 |
3. 高密度InAlAsアンチドット埋め込みヘテロ接合チャネルにおける電子散乱
川津 琢也、榊 裕之 第56回応用物理学関係連合講演会 |
2008
1. 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAsタイプⅡ量子ドットの光学特性
川津 琢也、間野 高明、野田 武司、秋山 芳広、榊 裕之 第69回応用物理学会学術講演 |
2. 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAsタイプⅡ量子ドットの作製
川津 琢也、間野 高明、野田 武司、秋山 芳広、榊 裕之 第55回応用物理学関係連合講演会 |
3. 液滴エピタキシーによる局所的に分布したInAsドットの作製と拡散の影響
野田 武司、間野 高明, 三石 和貴, 榊 裕之 第55回応用物理学関係連合講演会 |
4. 液滴エピタキシー法によるInAsドット群の自己形成と光学特性
野田 武司, 間野 高明, 黒田 隆、 迫田 和彰, 榊 裕之 第69回応用物理学会学術講演 |
2007
1. 一定電流を流した際のn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合の磁場キャパシタンス
川津 琢也、榊 裕之 第68回応用物理学会学術講演 |
2. In液滴をマスクにしたウエットエッチングによるサブミクロンサイズのGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの作製
野田 武司、三石 和貴、間野 高明 第68回応用物理学会学術講演 |
3. 電子線誘起堆積法による自己形成量子ナノ構造への配線とその伝導特性
野田 武司、三石 和貴、間野 高明、竹端 寛治、小口 信行 第54回応用物理学関係連合講演会 |
2005
1. (111)B歪量子井戸FETにおけるピエゾ電界効果
野田 武司、榊 裕之 第66回応用物理学会学術講演 |
2. 分子線エピタキシーを利用したAlナノ粒子埋め込み構造の作製とCV特性
野田 武司, 間野 高明、三石 和貴、小口 信行 第66回応用物理学会学術講演 |
3. 液滴エピタキシーで形成した20nm級量子リング構造を埋め込んだ共鳴トンネルダイオード
野田 武司、間野 高明、小口 信行 第52回応用物理学関係連合講演会 |