窒化ガリウム評価基盤領域 国立研究開発法人 物質・材料研究機構
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領域長挨拶

領域長 小出康夫
領域長 小出康夫

窒化ガリウム評価基盤領域は、2016年4月より開始された文科省事業「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」を実施する組織として設立され、結晶創製・パワーデバイス応用・評価基盤領域の一体的な連携から実用化に向けた研究開発を加速することを目的としています。


実施体制図


実施体制図 富士電機(株)豊田合成(株)産業技術総合研究所筑波大学PL計測グループ-東北大学-早稲田大学微量分析グループ放射光計測グループ最先端電顕グループ NIMS CL/EBIC/アトムブローブグループ 表面ブローブ計測グループ


GaN研究について

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文部科学省プロジェクトについて

我が国の強みを活かし、窒化ガリウム(GaN)の実用化に向けた研究開発を三領域一体となって加速してゆく文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」のプロジェクト。私たちが強みとする 先端計測技術を主軸とした「評価基盤領域」を担ってデバイス開発を進めています。
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