半導体特性評価グループ – 研究発表

banner_publications.jpg

2010s


2010年〜

  1. Y. Z. Yao, T. Sekiguchi, T. Ohgaki, Y. Adachi, and N. Ohashi, J. Ceram. Soc. Jpn., 118, 152 (2010).
  2. S. Shimada, H. Otani, A. Miura, T. Sekiguchi, and M. Yokoyama, J. Cryst. Growth, 312, 452 (2010).
  3. L. W. Sang, M. Takeguchi, W. Lee, Y. Nakayama, M. Lozac'h, T. Sekiguchi, and M. Sumiya, Applied Physics Express, 3 (2010).
  4. B. D. Liu, Y. Bando, A. M. Wu, X. Jiang, B. Dierre, T. Sekiguchi, C. C. Tang, M. Mitome, and D. Golberg, Nanot, 21 (2010).
  5. C. Li, Y. Bando, B. Dierre, T. Sekiguchi, Y. Huang, J. Lin, and D. Golberg, Nanoscale Research Letters, 5, 773 (2010).
  6. S. Y. Kim, H. J. Lee, S. H. Park, W. Lee, M. N. Jung, K. Fujii, T. Goto, T. Sekiguchi, J. H. Chang, G. Kil, and T. Yao, J. Cryst. Growth, 312, 2150 (2010).
  7. J. Q. Hu, Z. G. Chen, H. H. Chen, Y. L. Song, Y. G. Sun, R. J. Zou, J. Ni, B. Dierre, T. Sekiguchi, D. Golberg, and Y. Bando, Crystengcomm, 12, 1286 (2010).
  8. Y. T. Han, X. Wu, G. Z. Shen, B. Dierre, L. H. Gong, F. Y. Qu, Y. Bando, T. Sekiguchi, F. Filippo, and D. Golberg, J. Phys. Chem. C, 114, 8235 (2010).
  9. U. K. Gautam, M. Imura, C. S. Rout, Y. Bando, X. S. Fang, B. Dierre, L. Sakharov, A. Govindaraj, T. Sekiguchi, D. Golberg, and C. N. R. Rao, Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 107, 13588 (2010).
  10. M. Fukuzawa, M. Yamada, M. R. Islam, J. Chen, and T. Sekiguchi, J. Electron. Mater., 39, 700 (2010).
  11. N. Fukata, K. Sato, M. Mitome, Y. Bando, T. Sekiguchi, M. Kirkham, J. I. Hong, Z. L. Wang, and R. L. Snyder, Acs Nano, 4, 3807 (2010).
  12. F. Fabbri, F. Rossi, G. Attolini, G. Salviati, S. Iannotta, L. Aversa, R. Verucchi, M. Nardi, N. Fukata, B. Dierre, and T. Sekiguchi, Nanot, 21 (2010).
  13. B. Dierre, X. L. Yuan, K. Ueda, and T. Sekiguchi, J. Appl. Phys., 108 (2010).
  14. B. Dierre, X. L. Yuan, and T. Sekiguchi, Sci. Technol. Adv. Mater., 11 (2010).
  15. B. Dierre, X. L. Yuan, N. Armani, F. Fabbri, G. Salviati, K. Ueda, and T. Sekiguchi, J. Electron. Mater., 39, 761 (2010).
  16. Z. G. Chen, L. N. Cheng, H. Y. Xu, J. Z. Liu, J. Zou, T. Sekiguchi, G. Q. Lu, and H. M. Cheng, Adv. Mater., 22, 2376 (2010).
  17. S. Q. Chen, B. Dierre, W. Lee, T. Sekiguchi, S. Tomita, H. Kudo, and K. Akimoto, Appl. Phys. Lett., 96 (2010).
  18. B. Chen, T. Sekiguchi, T. Ohyanagi, H. Matsuhata, A. Kinoshita, and H. Okumura, Phys. Rev. B: Condens. Matter, 81 (2010).
  19. B. Chen, H. Matsuhata, T. Sekiguchi, T. Ohyanagi, A. Kinoshita, and H. Okumura, Appl. Phys. Lett., 96 (2010).
  20. B. Chen, J. Chen, T. Sekiguchi, T. Ohyanagi, H. Matsuhata, A. Kinoshita, and H. Okumura, J. Electron. Mater., 39, 684 (2010).

2000s


2000年〜2009年

  1. T. Y. Zhai, X. S. Fang, Y. Bando, B. Dierre, B. D. Liu, H. B. Zeng, X. J. Xu, Y. Huang, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, and D. Golberg, Adv. Funct. Mater., 19, 2423 (2009).
  2. R. S. Yu, M. Maekawa, A. Kawasuso, T. Sekiguchi, B. Y. Wang, X. B. Qin, and Q. Z. Wang, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B, 267, 3097 (2009).
  3. Y. Z. Yao, T. Sekiguchi, T. Ohgaki, Y. Adachi, N. Ohashi, H. Okuno, and M. Takeguchi, Appl. Phys. Lett., 95 (2009).
  4. T. Yamada, H. Yamane, Y. Z. Yao, M. Yokoyama, and T. Sekiguchi, Mater. Res. Bull., 44, 594 (2009).
  5. Y. Wang, B. Dierre, T. Sekiguchi, Y. Z. Yao, X. L. Yuan, F. J. Xu, and B. Shen, Journal of Vacuum Science & Technology A, 27, 611 (2009).
  6. B. D. Liu, Y. Bando, B. Dierre, T. Sekiguchi, C. C. Tang, M. Mitome, A. M. Wu, X. Jiang, and D. Golberg, Nanot, 20 (2009).
  7. W. Lin, D. Benjamin, S. P. Li, T. Sekiguchi, S. Ito, and J. Y. Kang, Cryst Growth Des, 9, 1698 (2009).
  8. W. Lee, J. Chen, B. Chen, J. H. Chang, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 94 (2009).
  9. L. Lazzarini, G. Salviati, F. Fabbri, M. Z. Zha, D. Calestani, A. Zappettini, T. Sekiguchi, and B. Dierre, Acs Nano, 3, 3158 (2009).
  10. K. Kumagai, T. Sekiguchi, K. Fukuda, and T. Sasaki, Applied Physics Express, 2 (2009).
  11. K. Kumagai and T. Sekiguchi, Ultramicroscopy, 109, 368 (2009).
  12. J. Kobayashi, H. Sekiwa, M. Miyamoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, T. Sekiguchi, Y. Adachi, H. Haneda, and N. Ohashi, Cryst Growth Des, 9, 1219 (2009).
  13. Y. Irokawa, N. Matsuki, M. Sumiya, Y. Sakuma, T. Sekiguchi, T. Chikyo, Y. Sumida, and Y. Nakano, Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 3, 266 (2009).
  14. Y. Huang, Y. Bando, C. Tang, C. Zhi, T. Terao, B. Dierre, T. Sekiguchi, and D. Golberg, Nanot, 20 (2009).
  15. J. Q. Hu, H. Jiang, Z. G. Chen, Y. G. Sun, Y. Bando, T. Sekiguchi, and D. Golberg, J. Mater. Chem., 19, 1093 (2009).
  16. U. K. Gautam, L. S. Panchakarla, B. Dierre, X. S. Fang, Y. Bando, T. Sekiguchi, A. Govindaraj, D. Golberg, and C. N. R. Rao, Adv. Funct. Mater., 19, 131 (2009).
  17. X. S. Fang, Y. Bando, M. Y. Liao, U. K. Gautam, C. Y. Zhi, B. Dierre, B. D. Liu, T. Y. Zhai, T. Sekiguchi, Y. Koide, and D. Golberg, Adv. Mater., 21, 2034 (2009).
  18. F. Fabbri, D. Natalini, A. Cavallini, T. Sekiguchi, R. Nipoti, and F. Moscatelli, Superlattices Microstruct., 45, 383 (2009).
  19. B. Dierre, X. L. Yuan, and T. Sekiguchi, Microelectron. J., 40, 262 (2009).
  20. B. Dierre, X. L. Yuan, T. Ishigaki, K. Ueda, and T. Sekiguchi, Superlattices Microstruct., 45, 321 (2009).
  21. B. Dierre, X. L. Yuan, K. Inoue, N. Hirosaki, R. J. Xie, and T. Sekiguchi, J. Am. Ceram. Soc., 92, 1272 (2009).
  22. Z. G. Chen, J. Zou, D. W. Wang, L. C. Yin, G. Liu, Q. F. Liu, C. H. Sun, X. D. Yao, F. Li, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, G. Q. Lu, and H. M. Cheng, Adv. Funct. Mater., 19, 484 (2009).
  23. Z. G. Chen, J. Zou, G. Liu, F. Li, H. M. Cheng, T. Sekiguchi, M. Gu, X. D. Yao, L. Z. Wang, and G. Q. Lu, Appl. Phys. Lett., 94 (2009).
  24. J. Chen, T. Sekiguchi, N. Fukata, M. Takase, R. Hasunuma, K. Yamabe, M. Sato, Y. Nara, K. Yamada, and T. Chikyo, Jpn. J. Appl. Phys., 48 (2009).
  25. B. Chen, T. Sekiguchi, T. Ohyanagi, H. Matsuhata, A. Kinoshita, and H. Okumura, J. Appl. Phys., 106 (2009).
  26. B. Chen, J. Chen, T. Sekiguchi, M. Saito, and K. Kimoto, J. Appl. Phys., 105 (2009).
  27. B. Chen, J. Chen, T. Sekiguchi, T. Ohyanagi, H. Matsuhata, A. Kinoshita, H. Okumura, and F. Fabbri, Superlattices Microstruct., 45, 295 (2009).
  28. Y. J. Zhang, J. B. Wang, X. L. Zhong, Y. C. Zhou, X. L. Yuan, and T. Sekiguchi, Solid State Commun., 148, 448 (2008).
  29. Y. Z. Yao, T. Sekiguchi, N. Ohashi, Y. Adachi, and T. Ohgaki, Appl. Phys. Lett., 92 (2008).
  30. Y. Yao, T. Sekiguchi, Y. Sakuma, N. Ohashi, Y. Adachi, H. Okuno, and M. Takeguchi, Cryst Growth Des, 8, 1073 (2008).
  31. J. Yan, X. S. Fang, L. D. Zhang, Y. Bando, U. K. Gautam, B. Dierre, T. Sekiguchi, and D. Golberg, Nano Lett., 8, 2794 (2008).
  32. M. Suzuki, Y. Ominami, T. Sekiguchi, and C. Y. Yang, Appl. Phys. Lett., 93 (2008).
  33. M. Suzuki, K. Kumagai, T. Sekiguchi, A. M. Cassell, T. Saito, and C. Y. Yang, J. Appl. Phys., 104 (2008).
  34. T. Sato, Y. Kondo, T. Sekiguchi, and T. Suemasu, Applied Physics Express, 1 (2008).
  35. S. G. Ri, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, N. Tokuda, M. Ogura, H. Okushi, and S. Yamasaki, Diamond Relat. Mater., 17, 489 (2008).
  36. P. Prete, F. Marzo, P. Paiano, N. Lovergine, G. Salviati, L. Lazzarini, and T. Sekiguchi, J. Cryst. Growth, 310, 5114 (2008).
  37. T. Ootsuka, T. Suemasu, J. Chen, T. Sekiguchi, and Y. Hara, Appl. Phys. Lett., 92 (2008).
  38. T. Ootsuka, T. Suemasu, J. Chen, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 92 (2008).
  39. A. Miura, S. Shimada, T. Sekiguchi, M. Yokoyama, and B. Mizobuchi, J. Cryst. Growth, 310, 530 (2008).
  40. H. L. Li, R. J. Xie, N. Hirosaki, B. Dierre, T. Sekiguchi, and Y. Yajima, J. Am. Ceram. Soc., 91, 1711 (2008).
  41. S. Huang, N. Fukata, M. Shimizu, T. Yamaguchi, T. Sekiguchi, and K. Ishibashi, Appl. Phys. Lett., 92 (2008).
  42. W. Q. Han, H. G. Yu, C. Zhi, J. Wang, Z. Liu, T. Sekiguchi, and Y. Bando, Nano Lett., 8, 491 (2008).
  43. N. Fukata, M. Mitome, Y. Bando, M. Seoka, S. Matsushita, K. Murakami, J. Chen, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 93 (2008).
  44. N. Fukata, S. Matsushita, N. Okada, J. Chen, T. Sekiguchi, N. Uchida, and K. Murakami, Appl Phys a-Mater, 93, 589 (2008).
  45. X. S. Fang, U. K. Gautam, Y. Bando, B. Dierre, T. Sekiguchi, and D. Golberg, J. Phys. Chem. C, 112, 4735 (2008).
  46. F. Fabbri, A. Cavallini, G. Attolini, F. Rossi, G. Salviati, B. Dierre, N. Fukata, and T. Sekiguchi, Mater. Sci. Semicond. Process., 11, 179 (2008).
  47. B. Dierre, X. L. Yuan, Y. Z. Yao, M. Yokoyama, and T. Sekiguchi, Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 19, S307 (2008).
  48. B. Dierre, X. L. Yuan, and T. Sekiguchi, J. Appl. Phys., 104 (2008).
  49. B. Dierre, X. L. Yuan, N. Ohashi, and T. Sekiguchi, J. Appl. Phys., 103 (2008).
  50. B. Dierre, X. L. Yuan, N. Hirosaki, R. J. Xie, and T. Sekiguchi, Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, 146, 80 (2008).
  51. B. Dierre, X. L. Yuan, N. Hirosaki, T. Kimura, R. J. Xie, and T. Sekiguchi, J. Mater. Res., 23, 1701 (2008).
  52. Z. G. Chen, J. Zou, Q. F. Liu, C. H. Sun, G. Liu, X. D. Yao, F. Li, B. Wu, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, H. M. Cheng, and G. Q. Lu, Acs Nano, 2, 1523 (2008).
  53. Z. G. Chen, J. Zou, G. Liu, X. D. Yao, F. Li, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, G. Q. Lu, and H. M. Cheng, Adv. Funct. Mater., 18, 3063 (2008).
  54. Z. G. Chen, J. Zou, G. Liu, F. Li, Y. Wang, L. Z. Wang, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, H. M. Cheng, and G. Q. Lu, Acs Nano, 2, 2183 (2008).
  55. J. Chen, X. Yuan, and T. Sekiguchi, Scanning, 30, 347 (2008).
  56. J. Chen, T. Sekiguchi, N. Fukata, M. Takase, T. Chikyo, K. Yamabe, R. Hasunuma, M. Sato, Y. Nara, and K. Yamada, Appl. Phys. Lett., 92 (2008).
  57. J. Chen, B. Chen, T. Sekiguchi, M. Fukuzawa, and M. Yamada, Appl. Phys. Lett., 93 (2008).
  58. B. Chen, J. Chen, T. Sekiguchi, T. Ohyanagi, H. Matsuhata, A. Kinoshita, H. Okumura, and F. Fabbri, Appl. Phys. Lett., 93 (2008).
  59. B. Chen, J. Chen, T. Sekiguchi, A. Kinoshita, H. Matsuhata, H. Yamaguchi, I. Nagai, and H. Okumura, Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 19, S219 (2008).
  60. D. J. Cai, J. Y. Kang, P. Gibart, B. Beaumont, T. Sekiguchi, and S. Ito, Appl. Phys. Lett., 93 (2008).
  61. H. Zhang, R. G. Xie, T. Sekiguchi, X. Y. Ma, and D. R. Yang, Mater. Res. Bull., 42, 1286 (2007).
  62. L. W. Yin, M. S. Li, Y. Bando, D. Golberg, X. L. Yuan, and T. Sekiguchi, Adv. Funct. Mater., 17, 270 (2007).
  63. Y. Z. Yao, T. Sekiguchi, Y. Sakuma, and N. Ohashi, J. Cryst. Growth, 301, 521 (2007).
  64. S. I. Yanagiya, Y. Iseki, T. Kaito, A. Mori, C. Kaito, T. Sekiguchi, and T. Inoue, Mater. Chem. Phys., 105, 250 (2007).
  65. T. Yamada, H. Yamane, T. Goto, T. Yao, Y. Z. Yao, and T. Sekiguchi, Cryst. Res. Technol., 42, 713 (2007).
  66. L. Q. Xu, J. H. Zhan, J. Q. Hu, Y. Bando, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, M. Mitome, and D. Golberg, Adv. Mater., 19, 2141 (2007).
  67. E. M. Shishonok, T. Taniguchi, and T. Sekiguchi, PhSS, 49, 1884 (2007).
  68. S. Shimada, Y. Miura, A. Miura, and T. Sekiguchi, Cryst Growth Des, 7, 1251 (2007).
  69. T. Onodera, H. Oikawa, A. Masuhara, H. Kasai, T. Sekiguchi, and H. Nakanishi, Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters, 46, L336 (2007).
  70. J. Niitsuma, T. Sekiguchi, X. L. Yuan, and Y. Awano, J. Nanosci. Nanotechnol., 7, 2356 (2007).
  71. N. Mizuochi, J. Isoya, J. Niitsuma, T. Sekiguchi, H. Watanabe, H. Kato, T. Makino, H. Okushi, and S. Yamasaki, J. Appl. Phys., 101 (2007).
  72. Y. Irokawa, Y. Sakuma, and T. Sekiguchi, Jpn J Appl Phys 1, 46, 7714 (2007).
  73. Q. Huang, Y. Bando, A. Sandanayaka, C. C. Tang, J. B. Wang, T. Sekiguchi, C. Y. Zhi, D. Golberg, Y. Araki, O. Ito, F. F. Xu, and L. Gao, Small, 3, 1330 (2007).
  74. N. Hirosaki, R. J. Xie, K. Inoue, T. Sekiguchi, B. Dierre, and K. Tamura, Appl. Phys. Lett., 91 (2007).
  75. N. Fukata, S. Matsushita, T. Tsurui, J. Chen, T. Sekiguchi, N. Uchida, and K. Murakami, Physica B-Condensed Matter, 401, 523 (2007).
  76. N. Fukata, J. Chen, T. Sekiguchi, S. Matsushita, T. Oshima, N. Uchida, K. Murakami, T. Tsurui, and S. Ito, Appl. Phys. Lett., 90 (2007).
  77. X. Feng, J. Y. Kang, W. Inami, X. L. Yuan, M. Terauchi, T. Sekiguchi, S. Tsunekawa, S. Ito, and T. Sakurai, Cryst Growth Des, 7, 564 (2007).
  78. Z. Q. Chen, S. J. Wang, M. Maekawa, A. Kawasuso, H. Naramoto, X. L. Yuan, and T. Sekiguchi, Phys. Rev. B: Condens. Matter, 75 (2007).
  79. X. L. Yuan, L. Lazzarini, G. Salviati, M. Zha, and T. Sekiguchi, Mater. Sci. Semicond. Process., 9, 331 (2006).
  80. Y. Z. Yao, T. Sekiguchi, Y. Sakunia, M. Miyamura, and Y. Arakawa, Scripta Mater., 55, 679 (2006).
  81. R. G. Xie, T. Sekiguchi, D. S. Li, D. Yang, and M. H. Jiang, J. Phys. Chem. B, 110, 1107 (2006).
  82. R. G. Xie, T. Sekiguchi, T. Ishigaki, N. Ohashi, D. S. Li, D. R. Yang, B. D. Liu, and Y. S. Bando, Appl. Phys. Lett., 88 (2006).
  83. R. G. Xie, D. S. Li, H. Zhang, D. R. Yang, M. H. Jiang, T. Sekiguchi, B. D. Liu, and Y. Bando, J. Phys. Chem. B, 110, 19147 (2006).
  84. R. G. Xie, D. S. Li, D. R. Yang, T. Sekiguchi, and M. H. Jiang, Nanot, 17, 2789 (2006).
  85. Z. Q. Xi, D. R. Yang, J. Chen, and T. Sekiguchi, Mater. Sci. Semicond. Process., 9, 304 (2006).
  86. G. Z. Shen, Y. Bando, C. H. Ye, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, and D. Golberg, Angew Chem Int Edit, 45, 7568 (2006).
  87. T. Onodera, Z. Q. Tan, A. Masuhara, H. Oikawa, H. Kasai, H. Nakanishi, and T. Sekiguchi, Jpn J Appl Phys 1, 45, 379 (2006).
  88. J. Niitsuma, X. L. Yuan, S. Koizumi, and T. Sekiguchi, Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters, 45, L71 (2006).
  89. N. Mizuochi, H. Watanabe, H. Okushi, S. Yamasaki, J. Niitsuma, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 88 (2006).
  90. S. P. Li, Z. L. Fang, H. Y. Chen, J. C. Li, X. H. Chen, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, Q. M. Wang, and J. Y. Kang, Mater. Sci. Semicond. Process., 9, 371 (2006).
  91. J. G. Li, X. H. Wang, H. Kamiyama, T. Ishigaki, and T. Sekiguchi, Thin Solid Films, 506, 292 (2006).
  92. J. Q. Hu, Y. Bando, J. H. Zhan, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, C. Li, and D. Golberg, Adv. Mater., 18, 1852 (2006).
  93. N. Fukata, J. Chen, T. Sekiguchi, N. Okada, K. Murakami, T. Tsurui, and S. Ito, Appl. Phys. Lett., 89 (2006).
  94. J. Chen, T. Sekiguchi, N. Fukata, M. Takase, T. Chikyow, K. Yamabe, R. Hasunuma, Y. Akasaka, S. Inumiya, Y. Nara, and K. Yamada, Appl. Phys. Lett., 89 (2006).
  95. C. Y. Zhi, Y. Bando, C. C. Tang, R. G. Xie, T. Sekiguchi, and D. Golberg, J. Am. Chem. Soc., 127, 15996 (2005).
  96. C. Y. Zhi, Y. Bando, C. C. Tang, D. Golberg, R. G. Xie, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 87 (2005).
  97. C. Y. Zhi, Y. Bando, C. C. Tang, D. Golberg, R. G. Xie, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 87 (2005).
  98. J. H. Zhan, Y. Bando, J. Q. Hu, T. Sekiguchi, and D. Golberg, Adv. Mater., 17, 225 (2005).
  99. X. L. Yuan, T. Sekiguchi, J. Niitsuma, Y. Sakuma, S. Ito, and S. G. Ri, Appl. Phys. Lett., 86 (2005).
  100. L. W. Yin, Y. Bando, D. Golberg, A. Gloter, M. S. Li, X. L. Yuan, and T. Sekiguchi, J. Am. Chem. Soc., 127, 16354 (2005).
  101. S. Tsurekawa, K. Kido, S. Hamada, T. Watanabe, and T. Sekiguchi, ZMetl, 96, 197 (2005).
  102. J. H. Song, Y. Z. Yoo, K. Nakajima, T. Chikyow, T. Sekiguchi, and H. Koinuma, J. Appl. Phys., 97 (2005).
  103. T. Sekiguchi, X. L. Yuan, and J. Niitsuma, Scanning, 27, 103 (2005).
  104. H. Ryoken, I. Sakaguchi, N. Ohashi, T. Sekiguchi, S. Hishita, and H. Haneda, J. Mater. Res., 20, 2866 (2005).
  105. T. Ohgaki, S. Sugimura, H. Ryoken, N. Ohashi, I. Sakaguchi, T. Sekiguchi, and H. Haneda, in Electroceramics in Japan Viii; Vol. 301, edited by M. Miyayama, T. Takenaka, M. Takata, and K. Shinozaki (2005), p. 79.
  106. N. Ohashi, N. Ebisawa, T. Sekiguchi, I. Sakaguchi, Y. Wada, T. Takenaka, and H. Haneda, Appl. Phys. Lett., 86 (2005).
  107. J. Niitsuma, X. L. Yuan, S. Ito, and T. Sekiguchi, Scanning, 27, 88 (2005).
  108. J. Niitsuma, X. L. Yuan, S. Ito, and T. Sekiguchi, Scripta Mater., 53, 703 (2005).
  109. J. Niitsuma, H. Oikawa, E. Kimura, T. Ushiki, and T. Sekiguchi, J. Electron Microsc., 54, 325 (2005).
  110. T. Nagata, P. Ahmet, T. Sekiguchi, and T. Chikyow, J. Cryst. Growth, 283, 328 (2005).
  111. T. Nagata, P. Ahmet, Y. Sakuma, T. Sekiguchi, and T. Chikyow, Appl. Phys. Lett., 87 (2005).
  112. T. Mitsui, T. Sekiguchi, D. Fujita, and N. Koguchi, Jpn J Appl Phys 1, 44, 1820 (2005).
  113. B. D. Liu, Y. Bando, C. C. Tang, D. Golberg, R. G. Xie, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 86 (2005).
  114. Y. Ishikawa, J. Niitsuma, S. Tanaka, D. Nezaki, M. Okamoto, M. Yamashita, T. Sekiguchi, and N. Shibata, in Electroceramics in Japan Viii; Vol. 301, edited by M. Miyayama, T. Takenaka, M. Takata, and K. Shinozaki (2005), p. 189.
  115. J. Q. Hu, Y. Bando, J. H. Zhan, M. Y. Liao, D. Golberg, X. L. Yuan, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 87 (2005).
  116. X. Feng, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, W. Z. Lin, and J. Y. Kang, J. Phys. Chem. B, 109, 15786 (2005).
  117. Z. Q. Chen, S. Yamamoto, A. Kawasuso, Y. Xu, and T. Sekiguchi, Appl. Surf. Sci., 244, 377 (2005).
  118. Z. Q. Chen, A. Kawasuso, Y. Xu, H. Naramoto, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, R. Suzuki, and T. Ohdaira, J. Appl. Phys., 97 (2005).
  119. Z. Q. Chen, A. Kawasuso, Y. Xu, H. Naramoto, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, R. Suzuki, and T. Ohdaira, Phys. Rev. B: Condens. Matter, 71 (2005).
  120. J. Chen, T. Sekiguchi, R. Xie, P. Ahmet, T. Chikyo, D. Yang, S. Ito, and F. Yin, Scripta Mater., 52, 1211 (2005).
  121. R. Buckmaster, J. H. Yoo, K. Shin, Y. Yao, T. Sekiguchi, M. Yokoyama, T. Hanada, T. Goto, M. Cho, Y. Kawazoe, and T. Yao, Microelectron. J., 36, 456 (2005).
  122. X. L. Yuan, T. Sekiguchi, S. G. Ri, and S. Ito, Appl. Phys. Lett., 84, 3316 (2004).
  123. X. L. Yuan, T. Sekiguchi, S. G. Ri, and S. Ito, European Physical Journal-Applied Physics, 27, 337 (2004).
  124. Y. Z. Yoo, T. Sekiguchi, T. Chikyow, M. Kawasaki, T. Onuma, S. F. Chichibu, J. H. Song, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett., 84, 502 (2004).
  125. Y. Watanabe, H. Hibino, S. Bhunia, K. Tateno, and T. Sekiguchi, Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 24, 133 (2004).
  126. T. Shishido, S. Okada, Y. Ishizawa, K. Kudou, K. Iizumi, Y. Sawada, H. Horiuchi, K. Inaba, T. Sekiguchi, J. Ye, S. Miyashita, A. Nomura, T. Sugawara, K. Obara, M. Oku, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, N. Usami, S. Kohiki, Y. Kawazoe, and K. Nakajima, J. Alloys Compd., 383, 319 (2004).
  127. T. Sekiguchi, Q. Liu, T. Tanaka, J. Hu, Y. Zhu, and Y. Bando, European Physical Journal-Applied Physics, 27, 107 (2004).
  128. T. Sekiguchi, S. Koizumi, and T. Taniguchi, J. Phys.: Condens. Matter, 16, S91 (2004).
  129. T. Sekiguchi, J. Q. Hu, and Y. Bando, J. Electron Microsc., 53, 203 (2004).
  130. N. Saito, H. Haneda, T. Sekiguchi, T. Ishigaki, and K. Koumoto, J. Electrochem. Soc., 151, H169 (2004).
  131. K. Ooshita, T. Inoue, T. Sekiguchi, S. Yanagiya, and A. Mori, J. Cryst. Growth, 267, 74 (2004).
  132. S. Nara, T. Sekiguchi, and J. Chen, European Physical Journal-Applied Physics, 27, 389 (2004).
  133. T. Mitsui and T. Sekiguchi, J. Electron Microsc., 53, 209 (2004).
  134. T. W. Kim, T. Kawazoe, S. Yamazaki, M. Ohtsu, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 84, 3358 (2004).
  135. J. Q. Hu, Y. Bando, T. Sekiguchi, F. F. Xu, and J. H. Zhan, Appl. Phys. Lett., 84, 804 (2004).
  136. J. Q. Hu, Y. Bando, Z. W. Liu, J. H. Zhan, D. Golberg, and T. Sekiguchi, Angew Chem Int Edit, 43, 63 (2004).
  137. Z. Q. Chen, T. Sekiguchi, X. L. Yuan, M. Maekawa, and A. Kawasuso, J. Phys.: Condens. Matter, 16, S293 (2004).
  138. Z. Q. Chen, M. Maekawa, S. Yamamoto, A. Kawasuso, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, R. Suzuki, and T. Ohdaira, Phys. Rev. B: Condens. Matter, 69 (2004).
  139. Z. Q. Chen, M. Maekawa, T. Sekiguchi, R. Suzuki, and A. Kawasuso, in Positron Annihilation, Icpa-13, Proceedings; Vol. 445-6, edited by T. Hyodo, Y. Kobayashi, Y. Nagashima, and H. Saito (2004), p. 57.
  140. J. Chen, T. Sekiguchi, D. Yang, F. Yin, K. Kido, and S. Tsurekawa, J. Appl. Phys., 96, 5490 (2004).
  141. J. Chen, T. Sekiguchi, S. Nara, and D. Yang, J. Phys.: Condens. Matter, 16, S211 (2004).
  142. X. H. Zhang, S. Y. Xie, Z. Y. Jiang, Z. X. Xie, R. B. Huang, L. S. Zheng, J. Y. Kang, and T. Sekiguchi, J. Solid State Chem., 173, 109 (2003).
  143. S. Y. Xie, X. H. Zhang, R. B. Huang, Z. Y. Jiang, J. Y. Kang, T. Sekiguchi, and L. S. Zheng, Abstracts of Papers of the American Chemical Society, 225, 423 (2003).
  144. T. Taniguchi, S. Koizumi, K. Watanabe, I. Sakaguchi, T. Sekiguchi, and S. Yamaoka, Diamond Relat. Mater., 12, 1098 (2003).
  145. T. Shishido, S. Okada, Y. Ishizawa, K. Kudou, K. Iizumi, Y. Sawada, H. Horiuchi, K. Inaba, T. Sekiguchi, J. H. Ye, S. Miyashita, A. Nomura, T. Sugawara, K. Obara, Y. Murakami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, N. Usami, M. Oku, Y. Yokoyama, S. Kohiki, Y. Kawazoe, and K. Nakajima, Jpn. J. Appl. Phys., 42, 7292 (2003).
  146. T. Sekiguchi, Y. Sakuma, and T. Takebe, J. Electron Microsc., 52, 383 (2003).
  147. H. Oikawa, T. Mitsui, T. Onodera, H. Kasai, H. Nakanishi, and T. Sekiguchi, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 - Lett., 42, L111 (2003).
  148. N. Ohashi, T. Ishigaki, N. Okada, H. Taguchi, I. Sakaguchi, S. Hishita, T. Sekiguchi, and H. Haneda, J. Appl. Phys., 93, 6386 (2003).
  149. Q. L. Liu, T. Tanaka, J. Q. Hu, F. F. Xu, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 83, 4939 (2003).
  150. Z. W. Jin, Y. Z. Yoo, T. Sekiguchi, T. Chikyow, H. Ofuchi, H. Fujioka, M. Oshima, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett., 83, 39 (2003).
  151. J. Q. Hu, Y. Bando, J. H. Zhan, Y. B. Li, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 83, 4414 (2003).
  152. J. Q. Hu, Y. Bando, Z. W. Liu, T. Sekiguchi, D. Golberg, and J. H. Zhan, J. Am. Chem. Soc., 125, 11306 (2003).
  153. Z. Q. Chen, S. Yamamoto, M. Maekawa, A. Kawasuso, X. L. Yuan, and T. Sekiguchi, J. Appl. Phys., 94, 4807 (2003).
  154. H. Yamane, T. Araki, T. Sekiguchi, S. Kubota, and M. Shimada, J. Ceram. Soc. Jpn., 110, 289 (2002).
  155. A. Urbieta, P. Fernandez, C. Hardalov, J. Piqueras, and T. Sekiguchi, Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, 91, 345 (2002).
  156. T. Taniguchi, K. Watanabe, S. Koizumi, I. Sakaguchi, T. Sekiguchi, and S. Yamaoka, Appl. Phys. Lett., 81, 4145 (2002).
  157. T. Sekiguchi and S. Koizumi, Appl. Phys. Lett., 81, 1987 (2002).
  158. T. Sekiguchi, S. Ito, and A. Kanai, Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, 91, 244 (2002).
  159. N. Saito, H. Haneda, T. Sekiguchi, N. Ohashi, I. Sakaguchi, and K. Koumoto, Adv. Mater., 14, 418 (2002).
  160. N. Ohashi, T. Sekiguchi, I. Sakaguchi, N. Ebisawa, T. Ohgaki, T. Takenaka, and H. Haneda, in Asian Ceramic Science for Electronics Ii and Electroceramics in Japan V, Proceedings; Vol. 228-2, edited by T. Kimura, K. Koumoto, T. Takenaka, S. Fujitsu, and K. Shinozaki (2002), p. 173.
  161. N. Ohashi, T. Sekiguchi, K. Aoyama, T. Ohgaki, Y. Terada, I. Sakaguchi, T. Tsurumi, and H. Haneda, J. Appl. Phys., 91, 3658 (2002).
  162. N. Ohashi, T. Ishigaki, N. Okada, T. Sekiguchi, I. Sakaguchi, and H. Haneda, Appl. Phys. Lett., 80, 2869 (2002).
  163. Z. W. Jin, T. Fukumura, K. Hasegawa, Y. Z. Yoo, K. Ando, T. Sekiguchi, P. Ahmet, T. Chikyow, T. Hasegawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, J. Cryst. Growth, 237, 548 (2002).
  164. E. G. Villora, T. Atou, T. Sekiguchi, T. Sugawara, M. Kikuchi, and T. Fukuda, Solid State Commun., 120, 455 (2001).
  165. A. Urbieta, P. Fernandez, J. Piqueras, and T. Sekiguchi, Semicond. Sci. Technol., 16, 589 (2001).
  166. A. Urbieta, P. Fernandez, J. Piqueras, C. Hardalov, and T. Sekiguchi, Journal of Physics D-Applied Physics, 34, 2945 (2001).
  167. D. Takeuchi, H. Watanabe, S. Yamanaka, H. Okushi, H. Sawada, H. Ichinose, T. Sekiguchi, and K. Kajimura, Phys. Rev. B: Condens. Matter, 63 (2001).
  168. D. Takeuchi, H. Watanabe, H. Sawada, S. Yamanaka, H. Ichinose, T. Sekiguchi, and H. Okushi, Diamond Relat. Mater., 10, 526 (2001).
  169. T. Sugaya, M. Ogura, Y. Sugiyama, K. Matsumoto, K. Yonei, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 78, 76 (2001).
  170. N. Sakagami, M. Yamashita, T. Sekiguchi, S. Miyashita, K. Obara, and T. Shishido, J. Cryst. Growth, 229, 98 (2001).
  171. Z. W. Jin, T. Fukumura, M. Kawasaki, K. Ando, H. Saito, T. Sekiguchi, Y. Z. Yoo, M. Murakami, Y. Matsumoto, T. Hasegawa, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett., 78, 3824 (2001).
  172. K. Hirata, H. Arai, A. Kawasuso, T. Sekiguchi, Y. Kobayashi, and S. Okada, J. Appl. Phys., 90, 237 (2001).
  173. Y. Yamazaki, J. H. Chang, M. W. Cho, T. Sekiguchi, and T. Yao, J. Cryst. Growth, 214, 202 (2000).
  174. H. Yamane, D. Kinno, M. Shimada, T. Sekiguchi, and F. J. Disalvo, JMatS, 35, 801 (2000).
  175. H. Yamane, T. Kajiwara, T. Sekiguchi, and M. Shimada, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 - Lett., 39, L146 (2000).
  176. Y. B. Xia, T. Sekiguchi, W. J. Zhang, X. Jiang, W. H. Wu, and T. Yao, J. Cryst. Growth, 213, 328 (2000).
  177. Y. B. Xia, T. Sekiguchi, W. J. Zhang, X. Jiang, J. H. Ju, L. J. Wang, and T. Yao, Diamond Relat. Mater., 9, 1636 (2000).
  178. H. Watanabe, T. Sekiguchi, and H. Okushi, in Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors, 2000; Vol. 78-79, edited by H. Tomokage and T. Sekiguchi (2000), p. 165.
  179. D. Takeuchi, H. Watanabe, S. Yamanaka, H. Sawada, H. Ichinose, T. Sekiguchi, and H. Okushi, in Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors, 2000; Vol. 78-79, edited by H. Tomokage and T. Sekiguchi (2000), p. 197.
  180. T. Sugimoto, F. Shiba, T. Sekiguchi, and H. Itoh, Colloids and Surfaces a-Physicochemical and Engineering Aspects, 164, 183 (2000).
  181. T. Sekiguchi, S. Miyashita, K. Obara, T. Shishido, and N. Sakagami, J. Cryst. Growth, 214, 72 (2000).
  182. T. Sekiguchi, K. Haga, and K. Inaba, J. Cryst. Growth, 214, 68 (2000).
  183. A. Kawasuso, H. Arai, K. Hirata, T. Sekiguchi, Y. Kobayashi, and S. Okada, Radiat. Phys. Chem., 58, 615 (2000).
  184. Y. Kashiwaba, F. Katahira, K. Haga, T. Sekiguchi, and H. Watanabe, J. Cryst. Growth, 221, 431 (2000).
  185. K. Ikeda, T. Sekiguchi, S. Ito, M. Takebe, and M. Suezawa, J. Cryst. Growth, 210, 90 (2000).
  186. M. Hasegawa, M. Ogura, D. Takeuchi, S. Yamanaka, H. Watanabe, S. Ri, N. Kobayashi, H. Okushi, and T. Sekiguchi, in Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors, 2000; Vol. 78-79, edited by H. Tomokage and T. Sekiguchi (2000), p. 171.
  187. K. Haga, M. Kamidaira, Y. Kashiwaba, T. Sekiguchi, and H. Watanabe, J. Cryst. Growth, 214, 77 (2000).
  188. M. Aoki, H. Yamane, M. Shimada, T. Sekiguchi, T. Hanada, T. Yao, S. Sarayama, and F. J. DiSalvo, J. Cryst. Growth, 218, 7 (2000).

1990s


1990年〜1999年

  1. S. Yamanaka, H. Watanabe, S. Masai, T. Sekiguchi, D. Takeuchi, H. Okushi, and K. Kajimura, New Diamond Front. Carbon Technol., 9, 118 (1999).
  2. H. Watanabe, D. Takeuchi, S. Yamanaka, H. Okushi, K. Kajimura, and T. Sekiguchi, Diamond Relat. Mater., 8, 1272 (1999).
  3. H. Watanabe, D. Takeuchi, S. Yamanaka, S. Masai, T. Sekiguchi, H. Okushi, and K. Kajimura, New Diamond Front. Carbon Technol., 9, 129 (1999).
  4. Z. J. Wang, S. Tsurekawa, K. Ikeda, T. Sekiguchi, and T. Watanabe, Interface Sci., 7, 197 (1999).
  5. Y. Sakuma, M. Shima, Y. Awano, Y. Sugiyama, T. Futatsugi, N. Yokoyama, K. Uchida, N. Miura, and T. Sekiguchi, J. Electron. Mater., 28, 466 (1999).
  6. N. Ohashi, T. Sekiguchi, H. Haneda, Y. Terada, T. Ohgaki, T. Tsurumi, J. Tanaka, and O. Fukunaga, in Electroceramics in Japan I; Vol. 157-1, edited by N. Mizutani, K. Shinozaki, N. Kamehara, and T. Kimura (1999), p. 227.
  7. N. Ohashi, T. Ohgaki, T. Nakata, T. Tsurumi, T. Sekiguchi, H. Haneda, and J. Tanaka, Journal of the Korean Physical Society, 35, S287 (1999).
  8. N. Ohashi, T. Nakata, T. Sekiguchi, H. Hosono, M. Mizuguchi, T. Tsurumi, J. Tanaka, and H. Haneda, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 - Lett., 38, L113 (1999).
  9. E. Kurtz, T. Sekiguchi, Z. Zhu, T. Yao, J. X. Shen, Y. Oka, M. Y. Shen, and T. Goto, Superlattices Microstruct., 25, 119 (1999).
  10. J. H. Chang, M. W. Cho, H. Makino, T. Sekiguchi, and T. Yao, Journal of the Korean Physical Society, 34, S4 (1999).
  11. H. Yamane, M. Shimada, T. Sekiguchi, and F. J. DiSalvo, J. Cryst. Growth, 186, 8 (1998).
  12. H. Watanabe, D. Takeuchi, H. Okushi, K. Kajimura, and T. Sekiguchi, Solid State Phenomena, 63-4, 489 (1998).
  13. H. Watanabe, K. Hayashi, D. Takeuchi, S. Yamanaka, H. Okushi, K. Kajimura, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 73, 981 (1998).
  14. S. Q. Wang, F. Lu, Z. Q. Zhu, T. Sekiguchi, H. Okushi, K. Kimura, and T. Yao, Phys. Rev. B: Condens. Matter, 58, 10502 (1998).
  15. P. Tomasini, K. Arai, F. Lu, Z. Q. Zhu, T. Sekiguchi, T. Yao, M. Y. Shen, and T. Goto, J. Appl. Phys., 83, 6028 (1998).
  16. P. Tomasini, K. Arai, F. Lu, Z. Q. Zhu, T. Sekiguchi, M. Suezawa, T. Yao, M. Y. Shen, T. Goto, T. Yasuda, and Y. Segawa, J. Appl. Phys., 83, 4272 (1998).
  17. P. Tomasini, K. Arai, F. Lu, M. W. Cho, Z. Q. Zhu, T. Yao, Y. H. Wu, T. Sekiguchi, M. Suezawa, M. Y. Shen, and T. Goto, J. Cryst. Growth, 184, 343 (1998).
  18. D. Takeuchi, S. Yamanaka, H. Watanabe, S. Kawata, S. Masai, T. Sekiguchi, H. Sawada, H. Ichinose, and H. Okushi, Diamond Films Technol., 8, 317 (1998).
  19. T. Sugaya, Y. Tanuma, T. Nakagawa, T. Sekiguchi, K. Yonei, and Y. Sugiyama, Jpn. J. Appl. Phys., 37, 1497 (1998).
  20. T. Sekiguchi, Y. Sakuma, Y. Awano, and N. Yokoyama, J. Appl. Phys., 83, 4944 (1998).
  21. T. Sekiguchi, N. Ohashi, and H. Yamane, Solid State Phenomena, 63-4, 171 (1998).
  22. E. Kurtz, H. D. Jung, T. Hanada, Z. Zhu, T. Sekiguchi, and T. Yao, J. Cryst. Growth, 184, 242 (1998).
  23. K. Ikeda, T. Sekiguchi, S. Ito, and M. Suezawa, Solid State Phenomena, 63-4, 481 (1998).
  24. K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Watanabe, T. Sekiguchi, H. Okushi, and K. Kajimura, J. Cryst. Growth, 183, 338 (1998).
  25. K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Watanabe, T. Sekiguchi, H. Okushi, and K. Kajimura, Appl. Surf. Sci., 125, 120 (1998).
  26. K. Arai, Z. Q. Zhu, T. Sekiguchi, T. Yasuda, F. Lu, N. Kuroda, Y. Segawa, and T. Yao, J. Cryst. Growth, 184, 254 (1998).
  27. Z. Zhu, E. Kurtz, K. Arai, Y. F. Chen, D. M. Bagnall, P. Tomashini, F. Lu, T. Sekiguchi, T. Yao, T. Yasuda, and Y. Segawa, Phys Status Solidi B, 202, 827 (1997).
  28. H. Watanabe, D. Takeuchi, S. Hara, T. Sekiguchi, H. Okushi, and K. Kajimura, Diamond Films Technol., 7, 277 (1997).
  29. D. Takeuchi, H. Watanabe, S. Yamanaka, S. Masai, S. Kawada, S. Hara, T. Sekiguchi, H. Okushi, and K. Kajimura, Diamond Films Technol., 7, 347 (1997).
  30. B. Shen, X. Y. Zhang, K. Yang, P. Chen, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, T. Sekiguchi, and K. Sumino, Appl. Phys. Lett., 70, 1876 (1997).
  31. B. Shen, K. Yang, P. G. Chen, R. G. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, T. Sekiguchi, and K. Sumino, Chinese Physics Letters, 14, 436 (1997).
  32. T. Sekiguchi, N. Ohashi, and Y. Terada, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 - Lett., 36, L289 (1997).
  33. T. Sekiguchi, N. Ohashi, and Y. Terada, in Defects in Semiconductors - Icds-19, Pts 1-3; Vol. 258-2, edited by G. Davies and M. H. Nazare (1997), p. 1371.
  34. H. Sakuma, M. Tachibana, H. Sugiura, K. Kojima, S. Ito, T. Sekiguchi, and Y. Achiba, J. Mater. Res., 12, 1545 (1997).
  35. C. W. Nam, S. Ashok, and T. Sekiguchi, J. Vac. Sci. Technol., B, 15, 226 (1997).
  36. V. P. Markevich, L. I. Murin, T. Sekiguchi, and M. Suezawa, in Defects in Semiconductors - Icds-19, Pts 1-3; Vol. 258-2, edited by G. Davies and M. H. Nazare (1997), p. 217.
  37. J. Kaniewski, M. Kaniewska, L. Ornoch, T. Sekiguchi, and K. Sumino, in Defects in Semiconductors - Icds-19, Pts 1-3; Vol. 258-2, edited by G. Davies and M. H. Nazare (1997), p. 319.
  38. M. Kaniewska, J. Kaniewski, L. Ornoch, T. Sekiguchi, and K. Sumino, in Defects in Semiconductors - Icds-19, Pts 1-3; Vol. 258-2, edited by G. Davies and M. H. Nazare (1997), p. 325.
  39. K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Watanabe, T. Sekiguchi, H. Okushi, and K. Kajimura, J. Appl. Phys., 81, 744 (1997).
  40. K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Watanabe, T. Sekiguchi, H. Okushi, and K. Kajimura, J. Appl. Phys., 81, 7078 (1997).
  41. K. Hayashi, H. Watanabe, S. Yamanaka, T. Sekiguchi, H. Okushi, and K. Kajimura, Diamond Relat. Mater., 6, 303 (1997).
  42. K. Hayashi, T. Sekiguchi, and H. Okushi, in Defects in Semiconductors - Icds-19, Pts 1-3; Vol. 258-2, edited by G. Davies and M. H. Nazare (1997), p. 745.
  43. B. Shen, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, T. Sekiguchi, and K. Sumino, Appl. Phys. Lett., 68, 214 (1996).
  44. B. Shen, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, T. Sekiguchi, and K. Sumino, Chinese Physics Letters, 13, 289 (1996).
  45. B. Shen, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, T. Sekiguchi, and K. Sumino, J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 890 (1996).
  46. B. Shen, T. Sekiguchi, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, and K. Sumino, Physica Status Solidi a-Applied Research, 155, 321 (1996).
  47. B. Shen, T. Sekiguchi, R. Zhang, Y. Shi, H. T. Shi, K. Yang, Y. D. Zheng, and K. Sumino, Jpn. J. Appl. Phys., 35, 3301 (1996).
  48. B. Shen, J. Jablonski, T. Sekiguchi, and K. Sumino, Jpn. J. Appl. Phys., 35, 4187 (1996).
  49. T. Sekiguchi, K. Sumino, Z. J. Radzimski, and G. A. Rozgonyi, Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, 42, 141 (1996).
  50. T. Sekiguchi and K. Sumino, J. Appl. Phys., 79, 3253 (1996).
  51. T. Sekiguchi, B. Shen, T. Watanabe, and K. Sumino, Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, 42, 235 (1996).
  52. K. Hayashi, H. Watanabe, S. Yamanaka, H. Okushi, K. Kajimura, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett., 69, 1122 (1996).
  53. S. Tanaka, K. Takahashi, T. Sekiguchi, K. Sumino, and J. Tanaka, J. Appl. Phys., 77, 4021 (1995).
  54. B. Shen, T. Sekiguchi, and K. Sumino, in Icds-18 - Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors, Pts 1-4; Vol. 196-, edited by M. Suezawa and H. KatayamaYoshida (1995), p. 1207.
  55. T. Sekiguchi and K. Sumino, Rev. Sci. Instrum., 66, 4277 (1995).
  56. T. Sekiguchi and K. Sumino, in Icds-18 - Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors, Pts 1-4; Vol. 196-, edited by M. Suezawa and H. KatayamaYoshida (1995), p. 1201.
  57. T. Sekiguchi and H. S. Leipner, Appl. Phys. Lett., 67, 3777 (1995).
  58. H. Okushi, T. Sekiguchi, Y. Tokumaru, and K. Sumino, in Icds-18 - Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors, Pts 1-4; Vol. 196-, edited by M. Suezawa and H. KatayamaYoshida (1995), p. 261.
  59. V. P. Markevich, I. F. Medvedeva, L. I. Murin, T. Sekiguchi, M. Suezawa, and K. Sumino, in Icds-18 - Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors, Pts 1-4; Vol. 196-, edited by M. Suezawa and H. KatayamaYoshida (1995), p. 945.
  60. V. Kveder, T. Sekiguchi, and K. Sumino, Phys. Rev. B: Condens. Matter, 51, 16721 (1995).
  61. V. Kveder, T. Sekiguchi, and K. Sumino, in Icds-18 - Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors, Pts 1-4; Vol. 196-, edited by M. Suezawa and H. KatayamaYoshida (1995), p. 1189.
  62. S. Kusanagi, T. Sekiguchi, and K. Sumino, in Icds-18 - Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors, Pts 1-4; Vol. 196-, edited by M. Suezawa and H. KatayamaYoshida (1995), p. 1195.
  63. S. Kusanagi, T. Sekiguchi, B. Shen, and K. Sumino, Mater. Sci. Technol., 11, 685 (1995).
  64. B. Shen, T. Sekiguchi, J. Jablonski, and K. Sumino, J. Appl. Phys., 76, 4540 (1994).
  65. T. Sekiguchi, V. V. Kveder, and K. Sumino, J. Appl. Phys., 76, 7882 (1994).
  66. T. J. Lu, Z. H. Mai, C. Jiang, T. Sekiguchi, C. K. Ong, T. Ogawa, J. M. Zhou, and K. Sumino, Solid State Commun., 92, 983 (1994).
  67. T. Sekiguchi, H. Okushi, and K. Sumino, Physica Status Solidi a-Applied Research, 138, 651 (1993).
  68. T. Sekiguchi, S. Kusanagi, Y. Miyamura, and K. Sumino, Acta Phys. Pol., A, 83, 71 (1993).
  69. Z. J. Radzimski, A. Buczkowski, G. A. Rozgonyi, T. Sekiguchi, S. Kusanagi, and K. Sumino, in Microscopy of Semiconducting Materials 1993, edited by A. G. Cullis, A. E. StatonBevan, and J. L. Hutchison (1993), p. 721.
  70. S. Kusanagi, T. Sekiguchi, and K. Sumino, Appl. Phys. Lett., 61, 792 (1992).

1980s


1980年〜1989年

  1. T. Sekiguchi, Y. Miyamura, and K. Sumino, RvPA, 24, 168 (1989).
  2. T. Sekiguchi and K. Sumino, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 - Lett., 26, L179 (1987).
  3. H. Hiramoto, T. Sekiguchi, and K. Nakao, J. Phys. Soc. Jpn., 56, 2168 (1987).
  4. Y. Yamaguchi, T. Abe, T. Sekiguchi, and J. Chiba, Ieee Transactions on Microwave Theory and Techniques, 33, 714 (1985).
  5. D. Watanabe, M. Yamato, H. Yuzurihara, T. Sekiguchi, T. Tanaka, M. Takahashi, and T. Wakiyama, Jpn. J. Appl. Phys., 24, 1632 (1985).
  6. T. Sekiguchi, D. Watanabe, and K. Tsuno, Jpn. J. Appl. Phys., 24, 1229 (1985).
  7. D. Watanabe, M. Yamato, and T. Sekiguchi, J. Electron Microsc., 33, 289 (1984).
  8. T. Sekiguchi, D. Watanabe, and K. Tsuno, J. Electron Microsc., 33, 272 (1984).
  9. D. Watanabe, T. Sekiguchi, T. Tanaka, M. Takahashi, and T. Wakiyama, J. Magn. Magn. Mater., 31-4, 973 (1983).
  10. D. Watanabe, T. Sekiguchi, and E. Aoyagi, J. Electron Microsc., 32, 284 (1983).
  11. D. Watanabe, T. Sekiguchi, T. Tanaka, T. Wakiyama, and M. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 - Lett., 21, L179 (1982).
  12. D. Watanabe, T. Sekiguchi, and E. Aoyagi, J. Electron Microsc., 31, 338 (1982).