�@        SiCの低温焼結：αおよびβ-SiC粉末をAl-B-C系化合物（AlB₂, Al₄C₃, B₄C）を助剤として焼結すると、従来の焼結方法の温度2150℃より低い1950-2000℃前後で焼結し、焼結温度の低温化に成功した。（図1）。

�A    Si₃N₄の急速加熱焼結：窒化ケイ素の急速加熱による焼結について検討した。β型のサブミクロン粉末の粒成長速度は粒度分布がほぼ同じα型の粉末よりも速いことがわかった。

�B    発光サイアロンの合成：サイアロンはSi-Al-O-Nからなる化合物で希土類金属などをドープすると発光特性をもつことが発見された。α型サイアロンについて、Caとの共ドープによってCe-α-サイアロンが安定化することを見いだした。これを基に，紫外光(380nm)の励起で青白く光るサイアロン蛍光体を開発した（図2）。

�C    発光BNの合成：プラズマパケット支援レーザーアブレーション法により、225nmの室温紫外発光するsp³-結合性5H-BNの気相合成に世界に先駆けて成功した。