NIMS SemiMat · 半導体材料研究共創ハブ
Beyond 2nm世代の材料・プロセス・デバイス技術の統合的研究開発により、
日本の半導体産業の国際競争力を支える。
3つの主要プロジェクト
3つの主要プロジェクトLSTCプロジェクト（NEDO）
Near-Term（～2030）
現在の半導体を進化させる材料
Beyond 2nm世代向け半導体技術開発
Beyond 2nmトランジスタ集積化のための必須技術開発
エッジAIプロジェクト（JST）
Next-Tech（2030-2035）
次世代半導体を切り拓く革新材料
次世代エッジAI半導体研究開発事業
社会実装に向けた次世代エッジAI半導体の研究開発
NIMS内重点プロジェクト
Future Frontier（2035～）
未来デバイスを生み出す材料
半導体新材料素子技術
ポストシリコンエレクトロニクスへ向けた新材料・新構造・新原理素子実現のブレークスルー技術の探求
プラットフォーム体制
プラットフォーム体制
左側にNIMS（物質・材料研究機構）内の5つの研究センター（MANA、電子・光機能材料、磁性・スピントロニクス材料、構造材料、マテリアル基盤）が並び、それらが「人材の結集」として中央の3つの主要プロジェクト（次世代エッジAI半導体、半導体新材料素子技術、Beyond 2nm世代向け技術開発）に連携する体制を示しています。
NIMS内半導体
研究グループ／チーム
NIMS内半導体
ナノアーキテクトニクス材料研究センター
半導体材料分野
- 第一原理量子物性グループ
- 半導体機能デバイスグループ
- 超薄膜エレクトロニクスグループ
- ニューロモルフィックデバイスグループ
- 半導体ナノ材料集積グループ
- 2次元半導体グループ
- 半導体ナノ構造物質グループ
- ナノ光制御グループ
- イオニクスデバイスグループ
- 半導体デバイス工学グループ
- スマートインターフェースチーム
電子・光機能材料研究センター
機能材料分野
- 超ワイルドギャップ半導体グループ
- ナノ電子デバイス材料グループ
光学材料分野
- 半導体欠陥制御グループ
- 半導体エピタキシャル構造グループ
半導体に関連するあらゆる材料を研究
- 2D材料
-
- hBN
- MoS2
- MoSe2
- WS2
- WSe2
- 酸化物材料
-
- In2O3
- SnO
- Ga2O3
- HfO2
- HfZrO2
- 化合物材料
-
- GaAs
- InAs
- InP
- IV族系材料
-
- Diamond
- SiC
- Si
- Ge
- SiGe
- GeSn
- 有機系材料
-
- C8-BTBT
- PhC2-BQQDI
- PTCDI-C8
- 接合、配線、電極材料
-
- PdCoO2
- CoSn
- LaB6
お知らせ