ホーム > 共用装置 > 描画・露光

描画・露光

125kV電子ビーム描画装置

[メーカー] エリオニクス
[型番] ELS-F125
[装置管理部署] 微細加工プラットフォーム
[仕様]
・電子銃 ZrO/W熱電界放射型
・最大加速電圧 125kV (25kVステップで可変)
・フィールドつなぎ精度 < 25nm (600umフィールド)
・重ね合わせ精度 < 30nm(600umフィールド)
・試料サイズ 最大φ6インチ
[用途・キーワード]
・微細加工(リソグラフィ)
・高速高精細ナノパターニング

100kV電子ビーム描画装置

[メーカー] エリオニクス
[型番] ELS-7000
[装置管理部署] 微細加工プラットフォーム
[仕様]
・電子銃 ZrO/W熱電界放射型
・最大加速電圧 100kV (25kVステップで可変)
・フィールドつなぎ精度 < 40nm
・重ね合わせ精度 < 40nm
・試料サイズ 最大φ6インチ
[用途・キーワード]
・微細加工(リソグラフィ)
・高精細ナノパターニング

EB描画装置

[メーカー] エリオニクス
[型番] ELS-7500DEX
[装置管理部署] 並木ファウンドリ
[仕様]
・加速電圧:50kV
・基板サイズ:最大3inchφ
・フィールドつなぎ精度:50nm
・重合わせ精度:60nm
[用途・キーワード]
・微細加工(リソグラフィ)

ナノインプリント装置

[メーカー] 東芝機械
[型番] ST50
[装置管理部署] 微細加工プラットフォーム
[仕様]
・インプリント方式 紫外線インプリント
・光源 365nm LED
・照射範囲 φ3インチ
・プレス力 最大50kN
・試料サイズ 最大φ4インチ
[用途・キーワード]
・微細加工(リソグラフィ)
・高速ナノパターニング

高速マスクレス露光装置

[メーカー] ナノシステムソリューションズ
[型番] DL-1000 / NC2P
[装置管理部署] 微細加工プラットフォーム
[仕様]
・光源 405nm LED(h線)
・照度 1W/cm2
・位置決め精度 ±100nm以下
・重ね合わせ精度 ±100nm以下
・試料サイズ 最大8インチ角
[用途・キーワード]
・微細加工(リソグラフィ)
・高速高精度マスクレスパターニング

レーザー露光装置

[メーカー] ナノシステムソリューションズ
[型番] DL-1000
[装置管理部署] 微細加工プラットフォーム
[仕様]
・光源 405nm半導体レーザー(h線)
・照度 300mW/cm2
・位置決め精度 ±1um以下
・重ね合わせ精度 ±1um以下
・試料サイズ 最大4インチ角
[用途・キーワード]
・微細加工(リソグラフィ)
・マスクレスマイクロパターニング

マスクアライナー

[メーカー] ズース・マイクロテック
[型番] MA6 BSA
[装置管理部署] 微細加工プラットフォーム
[仕様]
・露光方式 バキューム,ハードコンタクト,ソフトコンタクト,プロキシミティ
・光源 ブロードバンドUVランプ(350-450nm)
・解像度 最小1um
・アライメント精度 表面 0.5um,裏面1um以下
・試料サイズ 最大φ6インチ
[用途・キーワード]
・微細加工(リソグラフィ)
・高スループットマイクロパターニング

コンタクトアライナー

[メーカー] ズース・マイクロテック
[型番] MA-6
[装置管理部署] 並木ファウンドリ
[仕様]
・光源:i線、h線、g線
・マスク寸法:102mm角~152mm角、
・基板寸法:76mm径以下
・露光最小線幅:0.75µm
・位置決め精度:0.5µm(表面側)
[用途・キーワード]
・微細加工(リソグラフィ)

共用装置