講演要旨
ヘリウムイオン顕微鏡法は、2006年にWardらによって開発された画像化技術である。ナノスケールの高空間分解能や低伝導度性材料の高観察能力を有する。デバイスの電位分布画像化は、デバイスの活性サイトの位置を把握するための直接的な方法である。そこで、高空間分解能での電位分布測定技術の開発を行うことを目的とし、内部電極に電圧を印加した積層型セラミックコンデンサ断面の二次電子(SE)像を、ヘリウムイオン顕微鏡を用いて観察した。SE像に電位差を反映したコントラストが観察された。新しい電位分布計測技術の開発ができたと考える[1, 2]。上記に加え、発表者が物質・材料研究機構での約4年間に行った研究について発表する。
[1] C. Sakai et al., Appl. Phys. Lett. 109 (2016) 051603.
[2] C. Sakai et al., J. Vac. Sci. Technol. B 36 (2018) 042903.
