日本発の窒化ガリウム (GaN) による青色LED は、省エネルギーな明かりを世界中に届けました。世界全体で抜本的なCO₂ 削減が喫緊の課題となる中、GaN の優れた物性を利用した、あらゆる電気機器に入っている電力変換デバイス (パワーデバイス) の省エネ化 が切り札となります。そこで、文部科学省ではこの度、「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」を立ち上げ、GaN 研究の第一人者である天野教授を中心に産学官を結集したプロジェクトを開始しました。本シンポジウムでは、次世代半導体による 省エネ社会の実現及び産業競争力の強化に向け、これまでの日本の半導体研究開発の経験も踏まえ、総合的な討論を行います。
日時 | 平成28年 5月18日 水曜日 14時00分 ~ 17時00分 |
場所 | 学術総合センター 一橋講堂 (東京都千代田区一ツ橋2 丁目1-2) |
入場料 | 無料 |
申込先 | 下記ウェブサイトにてお申し込み下さい (先着順・定員500 名) 申し込みページ |