| Bi4Ti3O12:バルク単結晶育成 |
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| ⇒ Bi4Ti3O12：強誘電体メモリー材料として重要 ⇒ 層状化合物であるためバルク単結晶育成は困難 |
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⇒ 薄膜による評価のみ ⇒ 新材料探索、材料改良に障害 ⇒ 独自のFz-PD法による単結晶育成に成功 強誘電特性の評価中 ⇒ 新しい高性能強誘電体メモリーの実現 |
〈Fz-PD法によるBi4Ti3O12バルク単結晶〉 |
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| Scale:0.3mm | |
| Bi4Ti3O12:バルク単結晶育成 |
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| ⇒ Bi4Ti3O12：強誘電体メモリー材料として重要 ⇒ 層状化合物であるためバルク単結晶育成は困難 |
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⇒ 薄膜による評価のみ ⇒ 新材料探索、材料改良に障害 ⇒ 独自のFz-PD法による単結晶育成に成功 強誘電特性の評価中 ⇒ 新しい高性能強誘電体メモリーの実現 |
〈Fz-PD法によるBi4Ti3O12バルク単結晶〉 |
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| Scale:0.3mm | |