left: hydrogen plasma in which diamond is synthesized, center:
the hydrogen-terminated surface of diamond, right: an atomic force microscopy image of atomically flat diamond surface

連絡先

山口尚秀

〒305-0044
茨城県つくば市並木1-1
国立研究開発法人物質・材料研究機構

Phone: 029-860-4885

研究内容

ダイヤモンドといえば多くの方が高価な宝石を思い浮かべると思います。

しかし、現在生産されるダイヤモンドの多くは宝飾用途ではなく、その硬さを利用して切削や研磨などの工業的用途に使われています。

このような工業用ダイヤモンドのほとんどは人工的に合成されたものです。

最近、この合成ダイヤモンドをシリコンのように半導体電子材料として利用しようという研究が進んでいます。
ダイヤモンドが、ワイドバンドギャップ、高絶縁破壊電界強度、高移動度、低誘電率など、多くの優れた特徴をもつためです。 表面伝導、負の電子親和力、窒素―空孔欠陥のスピン、超伝導など、ユニークな特徴も注目されています。

私たちはこのような電子材料としてのダイヤモンドの基礎特性の解明と機能デバイスへの応用に取り組んでいます。

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