https://www.nims.go.jp/personal/kozawa/ja/tags/p-n%E6%8E%A5%E5%90%88/P-N接合HugoBlox Kit (https://hugoblox.com)jaWed, 16 Nov 2016 00:00:00 +0000https://www.nims.go.jp/personal/kozawa/media/logo.svghttps://www.nims.go.jp/personal/kozawa/ja/tags/p-n%E6%8E%A5%E5%90%88/https://www.nims.go.jp/personal/kozawa/ja/research/optoelectronics/2016-electrolyte-gated-photodetection/Wed, 16 Nov 2016 00:00:00 +0000https://www.nims.go.jp/personal/kozawa/ja/research/optoelectronics/2016-electrolyte-gated-photodetection/<figure><img src="https://www.nims.go.jp/personal/kozawa/research/optoelectronics/2016-electrolyte-gated-photodetection/WSe2-photodiode_electrolyte.png" alt="電解質ゲートトランジスタが二次元結晶に形成するpn接合" width="640"><figcaption> <p>電解質ゲートトランジスタが二次元結晶に形成するpn接合. © 2016 AIP Publishing LLC</p> </figcaption> </figure> <p>私たちの研究グループは、<strong>電解質ゲートトランジスタによって形成されたp-n接合における光検出</strong>を実証しました。</p> <p>私たちは、強い光吸収と優れた電子特性で知られる遷移金属カルコゲナイド単層に焦点を当てています。私たちの研究では、電解質ゲートのアンビポーラトランジスタの準備と、270Kでの静電p-n接合の形成が含まれています。私たちは、外部バイアスなしで合理的な光電流スペクトルを観察し、これはp-n接合の形成を示しています。興味深いことに、二端子デバイスは三端子デバイスよりも高い光応答性を示し、これは高度にバランスの取れた陰イオンと陽イオン層の形成を示唆しています。私たちの調査結果は、原子レベルの薄い結晶における光電子工学に対する重要な証拠を提供しています。</p> <p><strong>Photodetection in p–n junctions formed by electrolyte-gated transistors of two-dimensional crystals.</strong></p> <p>Daichi Kozawa, Jiang Pu, Ryo Shimizu, Shota Kimura, Ming-Hui Chiu, Keiichiro Matsuki, Yoshifumi Wada, Tomo Sakanoue, Yoshihiro Iwasa, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu.</p> <p><em>Applied Physics Letters</em>, 109, 201107 (2016). </p>