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2018秋応用物理学会学術講演会で学生さんが発表します。　（9月18日-21日）

https://meeting.jsap.or.jp/

9月19日(火)

浅井祐哉　分子線酸素ビーム照射下その場観察XPSによるGaN表面酸化の面方位依存性
　19a-146-5

福田清貴　光熱偏向分光法によるMgイオン注入GaN層の評価　19p-CE-15

福田清貴　Al2O3/n-, p-GaN構造の光熱偏向分光法による評価　19p-CE-16

9月21日(金)

岡本裕二　外部輸送した水素ラジカルによるSiCl4還元からのSi作製　21a-233-1

2018年7月1日より、組織変更に伴いこれまでの名称からワイドギャップ半導体グループにかわりました。引続きご支援よろしくお願いします。

◆NEWS　2018年7月24日

ISGN-7　招待講演にて発表　（8月6-10日）

https://www.unipress.waw.pl/isgn-7/speakers.html

Evaluation of Structural Disorder and In-Gap States of III-V nitrides by
Photothermal Deflection　を発表予定　(8月9日）

◆NEWS　2018年１月25日

M1 福田君の仕事が論文になりました。　APEXに掲載されました。

‘Valence band edge tail states and band gap defect levels of GaN bulk and In _x Ga₁₋ _x N films detected by hard X-ray photoemission and photothermal deflection spectroscopy’ Appl, Phys. Express 11, 021002 (2018).

◆NEWS　2018年４月４日

研修生として研究していたアルジェリア工科大学のFatimaさんの研究が論文になりました。　JJAPに掲載されました。

‘Density evaluation of remotely-supplied hydrogen radicals produced via tungsten filament method for SiCl₄ reduction　Jpn. J. Appl. Phys.　57 051301 (2018).

◆NEWS　2018年3月14日

第65回応用物理学会春季学術講演会にて発表

角谷　Ⅲ-Ⅴ窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価
　　　　20a-E202-4

福田　イオン注入したGaNの光熱偏向分光法による評価
　　　　20a-E202-5

◆NEWS　2018年４月１７日

共同研究者の筑波大上殿先生の研究が論文になりました。　JAPに掲載されました。

Vacancy-type defects in Al₂O₃/GaN structure probed by monoenergetic　positron beams　J. Appl. Phys. 123, 155302 (2018) 　