原子1層の二次元半導体MoS₂をデバイス化した様子。NIMSと東京大学大学院の研究グループは、名古屋大学、筑波大学、東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）との共同研究により、MoS₂が有機金属化学気相成長法（MOCVD法）の過程で、結晶粒が自己整合して単結晶化する現象と、成長が単層で自己停止する現象を発見した。シリコン半導体デバイスの微細化が限界に近づく今、MoS₂は、次世代半導体（サブ1 nm）の有力候補として注目されている。この成果により、ウエハースケールで高品質かつ均一な単層MoS₂薄膜を安定して作製できる見通しが高まった。将来の大規模集積回路や低消費電力エレクトロニクス、光電子デバイスへの展開が期待される大きな一歩だ。