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施設・装置 (Facility & Equipment)

   

装置仕様 (Equipment details)

リソグラフィ装置群 (Lithography Equipment)

 
 125kV電子ビーム描画装置 (125kV-EB Writer)

電子ビーム描画装置
メーカー名: エリオニクス
Elionix
型番: ELS-F125
用途: 高精細ナノパターニング
Nanopatterning
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
 Academic price per hour
 機器利用 / Self use
\11,000
 技術補助 / Technical support
\14,000
 技術代行 / Processing service
\17,000
 装置仕様
電子銃
Emitter
ZrO/W TFE
最大加速電圧
Max acceleration voltage
125kV (25kV step)
フィールドつなぎ精度
Field stitching accuracy
< 25nm (500um field)
重ね合わせ精度
Mix & Match accuracy
< 30nm (500um field)
試料サイズ
Max sample size
6 inch wafer
走査クロック周波数
Scanning clock frequency
100MHz


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 100kV電子ビーム描画装置 (100kV-EB Writer)

電子ビーム描画装置
メーカー名: エリオニクス
Elionix
型番: ELS-7000
用途: 高精細ナノパターニング
Nanopatterning
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \7,000
技術補助 \10,000
技術代行 \13,000
 装置仕様
電子銃
Emitter
ZrO/W TFE
最大加速電圧
Max acceleration voltage
100kV (25kV step)
フィールドつなぎ精度
Field stitching accuracy
< 40nm (500um field)
重ね合わせ精度
Mix & Match accuracy
< 40nm (500um field)
試料サイズ
Max sample size
6 inch wafer
走査クロック周波数
Scanning clock frequency
100MHz


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 高速マスクレス露光装置 (High-speed Maskless Lithography)

レーザー露光装置
メーカー名: ナノシステムソリューションズ
Nanosystem Solutions
型番: DL-1000 / NC2P
用途: 高速マスクレスパターニング
Scanning maskless lithography
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \5,000
技術補助 \8,000
技術代行 \11,000

 装置仕様
光源
Light source
405nm 半導体レーザー(h線)
照度
Illumination
10W/cm2
位置決め精度
Positioning accuracy
< 500nm
重ね合わせ精度
Mix & Match accuracy
< 500nm
試料サイズ
Max sample size
8 inch square
その他
Others
グレースケール露光,スキャニング露光,自動/手動アライメント機能
Grayscale lithography, Scanning exposure, Auto/Manual alignment


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 マスクアライナー (Mask Aligner)

マスクアライナー
メーカー名: ズース・マイクロテック
SUSS MicroTec
型番: MA6 BSA
用途: 高スループットマイクロパターニング
Micropatterning
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
露光方式
Contact mode
バキューム,ハードコンタクト,ソフトコンタクト,プロキシミティ
Vacuum, Hard, Soft, Proximity
光源
Light source
Broadband UV lamp(350-450nm)
解像度
Resolution
1um
アライメント精度
Alignment accuracy
Surface: 0.5um,Backside: 1um
試料サイズ
Max sample size
φ6 inch wafer
その他
Others
両面露光可能
BSA (Both Side Alignment) lithography


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 プラズマアッシャー

プラズマアッシャー
メーカー名: ヤマト科学
型番: PB-600
用途: 基板クリーニング,レジスト剥離
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
高周波出力 0-600W連続可変
反応ガス O2
処理時間設定 任意 (チャンバー温度150度でインターロックあり)
試料サイズ 最大φ6インチ


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 UVオゾンクリーナー

UVオゾンクリーナー
メーカー名: サムコ
型番: UV-1
用途: 基板クリーニング,表面改質
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
光源 紫外線ランプ (184.9nmおよび253.7nm)
オゾンジェネレータ 無声放電方式高濃度オゾナイザー
ステージ温度 室温~300度
試料サイズ 最大φ8インチ


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薄膜形成装置群

 

 多元スパッタ装置 (i-miller)

全自動スパッタ装置
メーカー名: 芝浦メカトロニクス
型番: CFS-4EP-LL (i-miller)
用途: 金属・絶縁薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/2元同時/逆スパッタ/バイアススパッタ可能
電源出力 最大500W
カソード φ3インチ×4式
プロセスガス Ar,O2,N2
試料サイズ 最大φ8インチ(水冷ステージ)
現有ターゲット Al, Au, Ti, SiO2(2019年4月時点)


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 全自動スパッタ装置

全自動スパッタ装置
メーカー名: アルバック
型番: J sputter
用途: 金属・絶縁薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/2元同時/逆スパッタ可能
電源出力 最大500W
カソード φ4インチ×4式
プロセスガス Ar,O2,N2
試料サイズ 最大φ6インチ:試料ステージ水冷/加熱可 (最大300度)
現有ターゲット Al, Ag, Au, Al2O3, Cr, Cu, ITO, Mo, Ni, Pt, Si, Si3N4, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W, Zn, ZnO


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 超高真空スパッタ装置

超高真空スパッタ装置
メーカー名: ビームトロン
型番:  
用途: 垂直対向スパッタによる薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性スパッタ可能
電源出力 DC:最大1kW/RF:最大300W
カソード φ2インチ×4式
プロセスガス Ar,O2
試料サイズ 最大φ3インチ:試料ステージ加熱可 (最大800度)
現有ターゲット Au, Pt, Ag, Cu, Al, W, Mo, Ta, Ti, TiN, Ni, Cr, Si, SiO2, TiO2, MgO, ITO, PZT, CaF2


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 12連電子銃型蒸着装置

12連電子銃型蒸着装置
メーカー名: アールデック
型番: RDEB-1206K
用途: リフトオフ向け金属薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
蒸着方式 電子銃型×1式
ターゲット

12連式(Ti, Cr, Al, Ni, Cu, Pt, Au×2, Pd, Ag, MgO, Co, Fe, AuGe, Ge, 他)

到達真空度 1.0e-5 Pa
TS間距離 500mm
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 水冷式試料ステージ


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 原子層堆積装置

原子層堆積装置
メーカー名: Picosun (アルテック)
型番: SUNALE R-100B
用途: 高品質絶縁膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
成膜材料 Al2O3,HfO2
原料 TMA,TEMAHf,H2O
成膜温度 100-450度
成膜レート 0.1nm/Cycle
試料サイズ 最大φ4インチ


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 プラズマCVD装置

プラズマCVD装置
メーカー名: サムコ
型番: PD-220NL
用途: PECVDによるSiO2, SiNの薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
プラズマ方式 平行平板型
電源出力 30-300W
原料 TEOS (SiO2), SN-2 (SiN)
成膜温度 400度以下
試料サイズ 最大φ8インチ


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 高圧ジェットリフトオフ装置

メーカー名: カナメックス
型番: KLO-150CBU
用途: リフトオフ、レジスト剥離
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
レジスト膨潤 80℃ NMP溶液
レジスト剥離 高圧ジェットNMP溶液
リンス IPA, 純水
乾燥 スピン乾燥、N2ブロー
試料サイズ 最大φ6インチ


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ドライエッチング装置群

 

 多目的ドライエッチング装置

多目的ドライエッチング装置
メーカー名: サムコ
型番: RIE-200NL
用途: 多種材料のドライエッチング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
プラズマ励起方式 平行平板型
電源出力 最大300W
プロセスガス CHF3,CF4,SF6,Ar,O2,N2
試料ステージ温度 室温
試料サイズ 最大φ8インチ


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 化合物ドライエッチング装置

化合物ドライエッチング装置
メーカー名: サムコ
型番: RIE-101iPH
用途: 化合物半導体・金属薄膜のドライエッチング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
プラズマ励起方式 誘導結合型
電源出力 ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大300W
プロセスガス Cl2,BCl3,Ar,O2,N2
試料ステージ温度 200度以下
試料サイズ 最大φ3インチ


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 シリコン深堀エッチング装置

シリコン深堀エッチング装置
メーカー名: 住友精密工業
型番: MUC-21 ASE-SRE
用途: MEMS等,シリコン深堀エッチング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
プラズマ励起方式 誘導結合型
電源出力 ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大100W
プロセスガス SF6,C4F8,Ar,O2
試料ステージ温度 室温
試料サイズ 最大φ3インチ


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 酸化膜ドライエッチング装置

酸化膜ドライエッチング装置
メーカー名: 住友精密工業
型番: MUC-21 RV-APS-SE
用途: SiC,SiN,SiO2や各種酸化膜の高速エッチング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \5,000
技術補助 \8,000
技術代行 \11,000

 装置仕様
プラズマ励起方式 誘導結合型
電源出力 ICP出力:最大3kW/バイアス出力:最大1kW
プロセスガス CHF3,CF4,C4F8,SF6,Ar,O2,He
試料ステージ温度 -10~+40度
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 SiO2エッチングレート:0.5um/min以上,終点検出機能装備


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熱処理装置群

 
 急速赤外線アニール炉

急速赤外線アニール炉
メーカー名: アルバック理工
型番: QHC-P410
用途: 合金化,急速アニール
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
加熱方式 放物面反射赤外線管状加熱方式
プロセス温度 1150度以下
昇温速度 40度/秒以下
プロセスガス Ar, N2, Ar+H2(3%)
試料サイズ 20mm角以下×4


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 ウエハRTA装置

シリコン酸化・熱処理炉
メーカー名: ハイソル
型番: AccuThermo AW610
用途: 小片~φ6インチの急速アニール
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
加熱方式 赤外線ランプ加熱方式
プロセス温度 1250度以下
昇温速度 150度/秒以下@Siウエハ、40度/秒以下@SiCサセプタ
プロセスガス N2, Ar, Ar+H2(3%), O2
試料サイズ 最大φ6インチ


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プロセス評価・観察装置群

 
 走査電子顕微鏡

走査電子顕微鏡
メーカー名: 日立ハイテク
型番: S-4800
用途: ナノ加工・構造・材料の観察・計測
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
電子銃 ZrO/W 電界放射型
加速電圧 0.1-30kV
2次電子像分解能 1.0nm (ノーマル:15kV),1.4nm (リターディング:1.0kV)
試料ステージ 5軸モーター駆動
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 各種試料ホルダー装備


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 原子間力顕微鏡

原子間力顕微鏡
メーカー名: SIIナノテクノロジー
型番: L-traceⅡ
用途: ナノ加工・構造・材料の観察・計測
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
測定モード AFM,DFM,FFM,PM,SIS
走査範囲 90um
ステージ移動範囲 X:±75mm/Y:+105mm
分解能 垂直:0.01nm
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 カンチレバー自動交換機能,レシピ登録自動測定機能


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 3次元測定レーザー顕微鏡

3次元測定レーザー顕微鏡
メーカー名: オリンパス
型番: LEXT OLS4000
用途: 非接触3次元形状観察・計測
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
光源 405nm半導体レーザー
分解能 XY:0.12um/Z:0.01um
繰り返し性 XY:3σ=0.02um,/Z:1σ=0.012um(対物レンズ100倍時)
観察モード レーザー観察,白色光明視野,微分干渉観察
試料サイズ 100mm角以下


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 イオンスパッタ

イオンスパッタ
メーカー名: 日立ハイテク
型番: E-1045
用途: SEM,FIB-SEMの前処理
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
成膜材料 プラチナ/カーボン
プラチナ成膜方式 ダイオード放電マグネトロン型
カーボン成膜方式 直接通電加熱蒸着
試料サイズ 最大φ60mm


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 自動エリプソメータ

自動エリプソメータ
メーカー名: ファイブラボ
型番: MARY-102FM
用途: 絶縁膜形成評価
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
光源 632nm He-Neレーザー
ビーム系 0.8mm
入射角 50,60,70度
試料サイズ 最大φ6インチ


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 触針式表面段差計

触針式表面段差計
メーカー名: KLA Tencor
型番: Alpha Step IQ
用途: 接触式段差測定
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
分解能 1.19pm (±10umレンジ)/23.8pm (400umレンジ)
走査距離 10mm
膜厚測定範囲 最大400um
試料サイズ 最大φ6インチ


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 薄膜応力測定装置

イオンスパッタ
メーカー名: 東朋テクノロジー
型番: FLX-2000-A
用途: 薄膜応力測定
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
測定方式 レーザースキャン方式(670nm&750nm半導体レーザー)
測定範囲 1~4000MPa
測定再現性 1.3MPa(1σ)
試料サイズ φ3インチ, φ6インチ, φ8インチ
その他 3Dマッピング機能


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切削・研磨装置群

 
 ダイシングソー

ダイシングソー
メーカー名: ディスコ
型番: DAD322
用途: シリコン/石英/サファイア基板の小片化
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
切削刃 ダイヤモンドブレード
切削範囲 XY:162mm以下
スピンドル回転数 3000-40000rpm
顕微鏡 モニタ上倍率27倍/270倍電動切替
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 オート/セミオート/マニュアルアライメント機能


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 自動スクライバー

自動スクライバー
メーカー名: ダイトロンテクノロジー
型番: DPS-301R
用途: 半導体基板の小片化
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,000
技術補助 \5,000
技術代行 \8,000

 装置仕様
切削刃 ダイヤモンドポイントカッター
切削範囲 XY:110mm以下
ステージ駆動分解能 1um
カッター荷重 10-30g
試料サイズ 最大φ4インチ
その他 自動ブレーキング可


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 CMP研磨装置

CMP研磨装置
メーカー名: Logitech
型番: PM5
用途: 半導体基板の薄片化/平坦化
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,000
技術補助 \5,000
技術代行 \8,000

 装置仕様
プレート材質 ガラス/鉄/クロス
プレート径 φ12インチ
プレート速度 1-70rpm
スラリー シリカアルミナ/粒径10,20,50um
試料サイズ 最大φ3インチ


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 手動スクライバー

手動スクライバー
メーカー名: 共和理研
型番: K-604S100
用途: 半導体基板の小片化
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 設定なし
技術補助 設定なし
技術代行 設定なし

 装置仕様
切削刃 ダイヤモンドポイントカッター
切削範囲 XY:100mm以下
カッター荷重 50-1000g
試料サイズ 最大φ4インチ


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 ブレイキング装置

ブレイキング装置
メーカー名: ダイトロンテクノロジー
型番: DBM-401R
用途: 半導体基板のへき開
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 自動スクライバー付帯装置
技術補助 自動スクライバー付帯装置
技術代行 自動スクライバー付帯装置

 装置仕様
ブレイキング方式 基板裏面ブレード接触
ブレード幅 80mm
ステージ駆動範囲 110mm
試料サイズ 最大φ4インチ


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電気特性評価装置群

 
 室温プローバーシステム

室温プローバーシステム
メーカー名: ベクターセミコン,アジレント・テクノロジー
型番: MX-200/B,B1500A
用途: I-V/C-V特性評価
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,000
技術補助 \5,000
技術代行 \8,000

 装置仕様
プローブ 同軸プローブ
マニピュレータ 4基
I-V測定端子 4ユニット
C-V測定端子 1ユニット
試料サイズ 最大φ4インチ
その他 試料ステージ電圧印加可,除振台/シールドボックス装備


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 液体窒素プローバーシステム

極低温プローバーシステム
メーカー名: サーマルブロック,ケースレーインスツルメンツ
型番: SB-LN2PS,4200-SCS
用途: 77K台から500KまでのI-V特性評価
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,000
技術補助 \5,000
技術代行 \8,000

 装置仕様
試料冷却方式 液体窒素
プローブ SMAプローブ
マニピュレータ 4基
I-V測定端子 4ユニット
試料サイズ 最大20mm角
その他 77Kから500Kまで任意に温度設定可


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 ワイヤーボンダー

ワイヤーボンダー
メーカー名: West Bond
型番: 7476D
用途: チップキャリアへのボンディング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,000
技術補助 \5,000
技術代行 \8,000

 装置仕様
ボンディング方式 超音波/熱圧着ウェッジボンド方式
ボンディングウェッジ 45度,90度
ワイヤー材質 金線,アルミ線
ワークホルダー温度 300度以下
試料サイズ 50mm角以下,DIPパッケージ


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