施設・装置 (Facility & Equipment)

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装置仕様 (Equipment details)

	リソグラフィ装置群 (Lithography Equipment)

125kV電子ビーム描画装置 (125kV-EB Writer)

メーカー名： エリオニクス Elionix 型番： ELS-F125 用途： 高精細ナノパターニング Nanopatterning 　装置仕様 電子銃 Emitter ZrO/W 熱電界放射型 ZrO/W thermal field emitter 最大加速電圧 Max acceleration voltage 125kV (25kV ステップで可変) 125kV (25kV step) フィールドつなぎ精度 Field stitching accuracy 25nm 以下(500μm フィールド） Less than 25nm (500um field) 重ね合わせ精度 Mix & Match accuracy 30nm 以下(500μm フィールド） Less than 30nm (500um field) 最大試料サイズ Max sample size 6 inch 走査クロック周波数 Scanning clock frequency 100MHz

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高解像度レーザーリソグラフィ装置 (Laser Lithography)

メーカー名： ハイデルベルグ・インストルメンツ HEIDELBERG INSTRUMENT 型番： DWL66+ 用途： 高解像度レーザー描画 High-resolution laser lithography 　装置仕様 光源 Light source 375nm 半導体レーザー (70mW) 375nm Laser(70mW) 描画モード ラスタースキャン描画、ベクターモード描画 解像モード 0.3μm, 0.6μm, 0.8μm, 1.0μm 最大試料サイズ Max sample size 8インチ角 8 inch square その他 Others グレースケール露光，重ね合わせ描画 Grayscale lithography,

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高速マスクレス露光装置 (High-speed Maskless Lithography)

メーカー名： ナノシステムソリューションズ Nanosystem Solutions 型番： DL-1000 / NC2P 用途： 高速マスクレスパターニング Scanning maskless lithography 　装置仕様 光源 Light source 405nm 半導体レーザー（h線） 405nm Laser 照度 Illumination 10W/cm2 位置決め精度 Positioning accuracy 500nm 以下 Less than 500nm 重ね合わせ精度 Mix & Match accuracy 500nm 以下 Less than 500nm 最大試料サイズ Max sample size 8インチ角 8 inch square その他 Others グレースケール露光，スキャニング露光，自動／手動アライメント機能 Grayscale lithography, Scanning exposure, Auto/Manual alignment

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水蒸気プラズマ洗浄装置 (Water Vapor Plasma Cleaner)

メーカー名： サムコ samco 型番： AQ-500 用途： 洗浄・還元・灰化・接合・親水化 Cleaning, reduction, ashing,etc 　装置仕様 高周波出力 RF Power 50-250W 反応ガス Gas H2O,O2 最大試料サイズ Max sample size φ8 inch その他 Others 自動運転プログラム Automatically operated program

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UVオゾンクリーナー (UV Ozone Cleaner)

メーカー名： サムコ samco 型番： UV-1 用途： 基板クリーニング，表面改質 Surface cleaning 　１時間あたりの利用料金（アカデミア） 　装置仕様 光源 Light Source 紫外線ランプ （184.9nmおよび253.7nm） UV lamp (184.9nm and 253.7nm) オゾンジェネレータ Ozone Generator 無声放電方式高濃度オゾナイザー Silent discharge method high concentration ozonizer ステージ温度 Stage temperature 室温～300度 Room temp.～300deg C 最大試料サイズ Max sample size φ8 inch

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	薄膜形成装置群

多元スパッタ装置 (i-miller) (Sputter-depo System i-miller)

メーカー名： 芝浦メカトロニクス SHIBAURA MECHATRONICS 型番： CFS-4EP-LL (i-miller) 用途： 金属・絶縁薄膜形成 Metal and insulator deposition 　装置仕様 スパッタ方式 Sputtering mode DC/RFマグネトロンスパッタ，反応性／2元同時／逆スパッタ／バイアススパッタ可能 DC-,RF-,Reactive-,2 cathode-,Reverse-sputtering 電源出力 DC/RF power Max 500W カソード Cathode φ3インチ×4式 φ3 inch×4sets プロセスガス Gas Ar，O2，N2 最大試料サイズ Max sample size φ8inch（水冷ステージ） 現有ターゲット Target Ti, Au, Al, Si, Cu, W, Ta, Ag, Ni, Cr, ITO, ZnO, SiO2（2020年4月時点）

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全自動スパッタ装置 (Automatic Sputter)

メーカー名： アルバック ULVAC 型番： J sputter 用途： 金属・絶縁薄膜形成 Metal and insulator deposition 　装置仕様 スパッタ方式 Sputtering mode DC/RFマグネトロンスパッタ，反応性／3元同時／逆スパッタ可能 DC-,RF-,Reactive-,2 cathode-,Reverse-sputtering 電源出力 DC/RF power Max 500W カソード Cathode φ4インチ×4式 φ4 inch×4sets プロセスガス Gas Ar，O2，N2 最大試料サイズ Max sample size φ6inch その他 Others 試料ステージ水冷／加熱可 （最大300度） Temperature:Max 300deg C 現有ターゲット Target Al, Ag, Au, Al2O3, Cr, Cu, ITO, Mo, Ni, Pt, Si, Si3N4, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W, Zn, ZnO

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６連自動蒸着装置 (Automatic E-gun Evaporator)

メーカー名： アールデック R-DEC 型番： ADS-E86 用途： 自動金属薄膜形成 Automatic metal film deposition 　装置仕様 蒸着方式 Evaporation method 電子銃型 E-gun type ターゲット Target source Ti, Cr, Al, Ni, Au, Pt 到達真空度 Pressure 10-5 Pa ＴＳ間距離 TS Distance 500 mm 最大試料サイズ Max sample size φ8inch その他 Others ロードロック式、水冷式試料ステージ Load lock type,Water-cooled sample stage

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12連電子銃型蒸着装置 (12 E-gun Evaporator)

メーカー名： アールデック R-DEC 型番： RDEB-1206K 用途： リフトオフ向け金属薄膜形成 Metal evaporation 　装置仕様 蒸着方式 Evaporation method 電子銃型×1式 E-gun type ターゲット Target source 12連式（Ti, Cr, Al, Ni, Cu, Pt, Au×2, Pd, Ag, MgO, Co, Fe, AuGe, Ge, 他） 到達真空度 Pressure 1.0e-5 Pa TS間距離 TS Distance 500mm 最大試料サイズ Max sample size φ6inch その他 Others 水冷式試料ステージ Water-cooled sample stage

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多機能型原子層堆積装置 (ALD System)

メーカー名： サムコ samco 型番： AD-230LP 用途： 多種ALD薄膜形成 Various ALD process 　装置仕様 成膜方式 Deposition method サーマルまたはプラズマALD Thermal ALD or Plasma ALD 原料 Source TMA, TDMAT, BDEAS, TEMAHf 酸化剤 Oxidizing agent H2O, O3, O2 Plasma 窒化剤 Nitriding agent N2 Plasma, NH3 Plasma 最大試料サイズ Max sample size φ8inch その他 Others ロードロック式 Load lock type

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プラズマCVD装置 (PECVD)

メーカー名： サムコ samco 型番： PD-220NL 用途： PECVDによるSiO2, SiNの薄膜形成 SiO2, SiN deposition 　装置仕様 プラズマ方式 Plasma mode 平行平板型 Capacitive coupled plasma 電源出力 RF power 30-300W 原料 Source TEOS (SiO2), SN-2 (SiN) 成膜温度 Deposition temperature 400度以下 Max 400deg C 最大試料サイズ Max sample size φ8inch

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高圧ジェットリフトオフ装置 (Lift-off System)

メーカー名： カナメックス KANAMEX 型番： KLO-150CBU 用途： リフトオフ、レジスト剥離 Lift off process,Resist removal 　装置仕様 レジスト膨潤 Swelling 80℃ NMP溶液 NMP solvent (80 deg. C) レジスト剥離 Removal 高圧ジェットNMP溶液 High-pressure NMP solvent リンス Rince IPA, 純水 IPA,DI-Water 乾燥 Dry スピン乾燥、N2ブロー Spin dry, N2 blow 最大試料サイズ Max sample size φ6inch

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	ドライエッチング装置群

多目的ドライエッチング装置 (CCP-RIE)

メーカー名： サムコ samco 型番： RIE-200NL 用途： 多種材料のドライエッチング Multipurpose etching 　装置仕様 プラズマ励起方式 Plasma mode 平行平板型 Capacitive coupled plasma 電源出力 PF Power 最大300W Max 300W プロセスガス Gas CHF3，CF4，SF6，Ar，O2，N2 試料ステージ温度 Stage temperature 室温 Room temp. 最大試料サイズ Max sample size φ8inch

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化合物ドライエッチング装置 (ICP-RIE)

メーカー名： サムコ samco 型番： RIE-101iPH 用途： 化合物半導体・金属薄膜のドライエッチング Ⅲ-Ⅴ semiconductor and metal etching 　装置仕様 プラズマ励起方式 Plasma mode 誘導結合型 Inductively coupled plasma 電源出力 PF Power ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大300W Max 1kW (ICP), Max 300W (Bias) プロセスガス Gas Cl2，BCl3，Ar，O2，N2 試料ステージ温度 Stage temperature 200度以下 Max 200deg C 最大試料サイズ Max sample size φ4inch

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シリコン深堀エッチング装置 (Si Deep Etcher)

メーカー名： 住友精密工業 Sumitomo Precision Products 型番： MUC-21 ASE-SRE 用途： MEMS等，シリコン深堀エッチング Si deep etching 　装置仕様 プラズマ励起方式 Plasma mode 誘導結合型 Inductively coupled plasma 電源出力 PF Power ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大100W Max 1kW (ICP), Max 100W (Bias) プロセスガス Gas SF6，C4F8，Ar，O2 試料ステージ温度 Stage temperature 室温 Room Temp. 最大試料サイズ Max sample size φ6inch

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酸化膜ドライエッチング装置 (Oxide Etcher)

メーカー名： 住友精密工業 Sumitomo Precision Products 型番： MUC-21 RV-APS-SE 用途： SiC，SiN，SiO2等の高速エッチング SiC, SiN, and SiO2 etching 　装置仕様 プラズマ励起方式 Plasma mode 誘導結合型 Inductively coupled plasma 電源出力 PF Power ICP出力：最大3kW／バイアス出力：最大1kW Max 3kW (ICP), Max 1kW (Bias) プロセスガス Gas CHF3，CF4，C4F8，SF6，Ar，O2，He 試料ステージ温度 Stage temperature -10～+40度 -10 - +40 deg C 最大試料サイズ Max sample size φ6inch その他 Others SiO2エッチングレート：0.5um/min以上，終点検出機能装備 End point detector

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ICP原子層ドライエッチング装置 (ICP-ALE)

メーカー名： Oxford Instruments 型番： PlasmaPro 100 Cobra 300 ALE 用途： 先端的ドライエッチング Advanced dry etching 　装置仕様 プラズマ励起方式 Plasma mode 誘導結合型 Inductively coupled plasma 電源出力 RF Power ICP出力：最大3kW／バイアス出力：最大300W Max 3kW (ICP), Max 300W (Bias) プロセスガス Gas Cl2，BCl3，SF6，Ar，N2，O2 試料ステージ温度 Stage temperature -30～+80度 -30 ～ 80deg C 最大試料サイズ Max sample size φ6インチ（オプションで8インチ可） φ6inch (8inch optional) その他 Others ICP エッチング加工, ALE プロセス, 終点検出機能装備 ICP mode, ALE mode, EPD

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	熱処理装置群

赤外線ランプ加熱装置 (RTP System)

メーカー名： アドバンス理工 ADVANCE RIKO 型番： RTP-6 用途： 多目的熱処理プロセス Multipurpose annealing process 　装置仕様 加熱方式 Heater 赤外線ランプによる上部片面加熱 Surface annealing by IR lamp プロセス温度 Max temperature 1200℃以下 1200deg C 昇温速度 Heating rate 10℃/秒以下 Less than 10deg C / sec. プロセスガス Gas Ar, N2, Ar+H2(3%) 最大試料サイズ Max sample size φ6inch その他 Others タッチパネル操作系 Touch panel operation

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ウエハＲＴＡ装置 (Wafer RTA)

メーカー名： ハイソル HiSOL 型番： AccuThermo AW610 用途： 小片～φ6インチの急速アニール Wafer annealing 　装置仕様 加熱方式 Heater 赤外線ランプ加熱方式 Infrared ramp heating プロセス温度 Max temperature 800度以下 800deg C 昇温速度 Heating rate 150度／秒以下＠Siウエハ、40度／秒以下＠SiCサセプタ Less than 150deg C / sec. (Si wafer) ,40deg C / sec. (SiC susceptor) プロセスガス Gas N2, Ar, Ar+H2(3%), O2 最大試料サイズ Max sample size φ6inch

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	プロセス評価・観察装置群

走査電子顕微鏡 (FE-SEM)

メーカー名： 日立ハイテク Hitachi High-Tech 型番： S-4800 用途： ナノ加工・構造・材料の観察・計測 Nanostructure observation 　装置仕様 電子銃 Emitter ZrO/W 電界放射型 ZrO/W thermal field emitter 加速電圧 Acceleration voltage 0.1-30kV 2次電子像分解能 Resolution 1.0nm （ノーマル：15kV），1.4nm （リターディング：1.0kV） 1.0nm (15kV) 試料ステージ Sample stage 5軸モーター駆動 5-axis motor drive 最大試料サイズ Max sample size φ6inch その他 Others 各種試料ホルダー装備

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高速広域走査型プローブ顕微鏡 (High-speed SPM)

メーカー名： Oxford Instruments 型番： Jupiter XR 用途： ナノ構造の計測・評価 Nanostructure measurement 　装置仕様 測定モード Measurement mode 形状測定、メカニカル測定、電気測定、磁気測定、等 走査範囲 Scanning area 90um ステージ可動範囲 Stage moving area 200mm角 最大試料サイズ Max sample size φ8inch

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３次元測定レーザー顕微鏡 (3D Laser Microscope)

メーカー名： オリンパス OLYMPUS 型番： LEXT OLS4000 用途： 非接触3次元形状観察・計測 Optical 3D measurement 　装置仕様 光源 Light source 405nm半導体レーザー 405nm semiconductor laser 分解能 Resolution XY：0.12um／Z：0.01um 繰り返し性 Reproducibility XY：3σ=0.02um,／Z：1σ=0.012um（対物レンズ100倍時） 観察モード Observation mode レーザー観察，白色光明視野，微分干渉観察 Laser, White light,Differential interference observation 試料サイズ Max sample size 100mm角以下 100mm square

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顕微式自動膜厚測定システム (Thin-Film Mapping System)

メーカー名： フィルメトリクス株式会社 FILMETRICS 型番： F54-XY-200-UV 用途： 反射分光膜厚測定 Measurement of reflectance spectral film thickness 　装置仕様 光源 Light source 重水素ハロゲンランプ Deuterium halogen lamp 波長 Wavelength 190-1100nm スポット径 Spot diameter 10 um以下 Less than 10 um 測定膜厚範囲 Measurement area 5nm以下～30um Less than 5nm～30um 最大試料サイズ Max sample size φ8inch その他 Others 自動マッピング、顕微式 Automatic mapping,Digital microscope

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自動エリプソメータ (Ellipsometer)

メーカー名： ファイブラボ five Lab 型番： MARY-102FM 用途： 絶縁膜形成評価 Thin film characterization 　装置仕様 光源 Light source 632nm He-Neレーザー ビーム径 Beam diameter 0.8mm 入射角 Angle of incidence 50°，60°，70° 最大試料サイズ Max sample size φ6inch

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触針式プロファイラ (Stylus Profiler)

メーカー名： ブルカージャパン Bruker 型番： Dektak XT-A 用途： 段差測定 Step measurement 　装置仕様 分解能 Resolution 1Å（6.5umレンジ） 走査距離 Scanning distance 55mm 触圧範囲 0.03-15mg 最大試料サイズ Max sample size φ8inch  その他 Others 自動ステージ、3Dマッピング、粗さ測定、ストレス測定 Automatic stage,Step meas.,Roughness meas.,3D mapping,Stress meas.

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イオンスパッタ (Ion Sputter)

メーカー名： 日立ハイテク Hitachi High-Tech 型番： E-1045 用途： SEM，FIB-SEMの前処理 Pretreatment for FE-SEM and FIB-SEM 　装置仕様 成膜材料 Materials プラチナ／カーボン Pt/C プラチナ成膜方式 Pt deposition ダイオード放電マグネトロン型 magnetron‐type カーボン成膜方式 Carbon deposition 直接通電加熱蒸着 Direct current heating deposition 最大試料サイズ Max sample size φ60mm

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薄膜応力測定装置 (Thin-Film Stress Measurement)

メーカー名： 東朋テクノロジー Toho Technology 型番： FLX-2000-A 用途： 薄膜応力測定 Thin film stress measurement 　装置仕様 測定方式 Measurement mode レーザースキャン方式（670nm＆750nm半導体レーザー） Laser scanning(Semiconductor laser:670nm＆750nm) 測定範囲 Measurement area 1～4000MPa 測定再現性 Measurement reproducibility 1.3MPa（1σ） 試料サイズ Sample size φ3inch, φ6inch, φ8inch その他 Others 3Dマッピング機能 3D mapping

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	切削・研磨装置群

ダイシングソー (Dicing Saw)

メーカー名： ディスコ DISCO 型番： DAD322 用途： 各種基板の小片化 Dicing 　装置仕様 切削刃 Dicing blade ダイヤモンドブレード Diamond blade 切削範囲 Dicing area XY：162mm以下 Less than 162mm (XY) 最大試料サイズ Max sample size φ6inch その他 Others オート／セミオート／マニュアルアライメント機能 Auto, semiauto, and manual alignment

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手動スクライバー (Manual Scriber)

メーカー名： 共和理研 KYOWARIKEN 型番： K-604S100 用途： 半導体基板の小片化 Scribing for semiconductor wafer 　装置仕様 切削刃 Dicing blade ダイヤモンドポイントカッター Diamond point cutter 切削範囲 Dicing area XY：100mm以下 Less than 100mm (XY) カッター荷重 Cutter load 50-1000g 最大試料サイズ Max sample size φ4inch

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	電気特性評価装置群

室温プローバーシステム (Room Temp. Prober)

メーカー名： ベクターセミコン,アジレント・テクノロジー Vector Semiconductor, Agilent Technologies 型番： MX-200/B，B1500A 用途： I-V/C-V特性評価 I-V, C-V measurement 　装置仕様 プローブ Probe 同軸プローブ Coaxial probe マニピュレータ Manipulator 4基 4sets I-V測定端子 I-V SMU 4ユニット 4units C-V測定端子 C-V CMU 1ユニット 1unit 最大試料サイズ Max sample size φ4inch その他 Others 試料ステージ電圧印加可，除振台／シールドボックス装備 Voltage-applied sample stage, Shield box

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液体窒素プローバーシステム (LN2 Prober)

メーカー名： サーマルブロック,ケースレーインスツルメンツ Thermal Block,Kiethley Instruments 型番： SB-LN2PS，4200-SCS 用途： 77K台から500KまでのI-V特性評価 I-V measurement at 77K ～ 500K 　装置仕様 試料冷却方式 Cooling method 液体窒素 Liquid N2 プローブ Probe SMAプローブ SMA probe マニピュレータ Manipulator 4基 4sets I-V測定端 4ユニット 4units 最大試料サイズ Max sample size 20mm角 20mm square その他 Others 77Kから500Kまで任意に温度設定可 Variable temperature (77K to 500K)

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ワイヤーボンダー (Wire Bonder)

メーカー名： ハイソル（West Bond） HiSOL (West Bond) 型番： 7476D 用途： チップキャリアへのボンディング Sample bonding to chip carrier 　装置仕様 ボンディング方式 Bonding 超音波／熱圧着ウェッジボンド方式 Ultrasonic/Thermocompression wedge bond ボンディングウェッジ Bondingwedge 45°，90° ワイヤー材質 Wire materials 金線，アルミ線 Gold, Aluminum ワークホルダー温度 Holder temperature 300度以下 Max 300deg C 最大試料サイズ Max sample size 50mm角以下，DIPパッケージ 50mm square, DIP package

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【各種問合せ】 NIMS微細加工共用施設 事務局 〒305-0047　茨城県つくば市千現１-２-１ Email：NIF-office(at)nims.go.jp