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電子対の量子絡み合いを操る最新理論を確立

独立行政法人物質・材料研究機構

NIMS国際ナノアーキテクトニクス研究拠点は、電子対の非局所的量子絡み合い状態に関する最新の理論を確立した。

概要

独立行政法人物質・材料研究機構 (理事長 : 潮田 資勝) 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 (拠点長 : 青野 正和) の王 志 リサーチアソシエートと古月 暁 主任研究者らのグループは、電子対の非局所的量子絡み合い状態に関する最新の理論を確立した。本研究成果は米国物理学会の論文誌Physical Review Letters(オンライン版)で近日、公開される。

「プレス資料中の図2 : 2つの超伝導体と量子ドットを含む2本のナノワイヤからなるデバイスの模式図」の画像

プレス資料中の図2 : 2つの超伝導体と量子ドットを含む2本のナノワイヤからなるデバイスの模式図




お問い合わせ先

研究内容に関すること
独立行政法人物質・材料研究機構
国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 
古月 暁 (ふるつき ぎょう)
TEL: 029-860-4897
E-Mail:電子メールアドレス
報道担当
独立行政法人物質・材料研究機構 
企画部広報室
〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
TEL:029-859-2026
FAX:029-859-2017

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