ホーム > ニュース・プレス > プレスリリース > 2003年 > シリコン表面における極低温基底状態の解明

シリコン表面における極低温基底状態の解明

世界で初めて1K以下の温度領域で原子分解能を達成

独立行政法人 物質・材料研究機構

NIMSナノマテリアル研究所の藤田大介らのグループは、極限物理場環境走査トンネル顕微鏡を用いてシリコン表面原子の極低温基底状態の1K以下の温度での原子分解能計測に世界で初めて成功した。

概要

独立行政法人物質・材料研究機構 (理事長 : 岸 輝雄、以下では物材機構) ナノマテリアル研究所 (所長 : 青野 正和) の藤田 大介 (ナノデバイスグループ・主席研究員) らのグループは、文部科学省の科学技術振興調整費・先導的研究等の推進課題「アクティブ・ナノ計測基盤技術の確立」 (平成13~15年度、研究リーダー : 藤田大介) の一環として、極限物理場環境走査トンネル顕微鏡を用いてシリコン表面原子の極低温基底状態の1K以下の温度での原子分解能計測に世界で初めて成功した。これにより、超高真空かつ0.7 K (約-272℃) という極低温環境において、(100)という結晶面を持つシリコン (Si) 表面上に存在する2種類の周期構造のうち安定な構造を決定することができた。


お問い合わせ先

研究内容に関すること
独立行政法人物質・材料研究機構
ナノマテリアル研究所 ナノデバイスグループ
主席研究員
藤田 大介 (ふじた だいすけ)
TEL:029-859-2741
FAX:029-859-2701
報道担当
独立行政法人物質・材料研究機構 
広報室
〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
TEL:029-859-2026
FAX:029-859-2017
Get ADOBE® READER®

PDFファイルの閲覧には、Adobe® Readerが必要です。