@ depoする分子をるつぼに入れ、準備する。
A るつぼをchamber#3(導入室)にSETする。(右図のとおり)
B depoされるsampleはchamber#2(処理室)にストックしておく。
C RP(ロータリーポンプ)もTMP(ターボ分子ポンプ)もON。
D Gate Valve #2をCLOSE、Gate Valve #3をOPENする。
E 冷却水を流す。
F 膜厚計をchamber#3横の青色BOXとつないで電源をONする。(左図は膜厚計がつながった状態)
膜厚計;PROG → ENT X 数回 → DENS: (depo分子特有値を入力) 、Z-RA: (〃) → PROG → START
G chamber#3内に見える膜厚計のセンサー部をdepo sample(るつぼ)上部へダイヤルを回して移動させる。
H るつぼをDC POWER SUPPLYとつなぐ。(右図はつながった状態)
I るつぼやdepo sampleのガス抜きのため、5A で真空計#3が示す圧力が安定するまで放置。(about for 20min.)
J その後 0.5A ずつcurrentを上げていき、真空計#3 & 膜厚計をcheckしながら膜厚計に"0"でない数値が表示される電流値&電圧値を探す。また、その電流・電圧値でのdepo speed(Å/sec.)を測定換算する。
K 膜厚計センサーをるつぼ上部から離し、chamber#2のdepoされるsampleをchamber#3にdepo分子がdepositionされないような向きでるつぼ上部に移動させる。
L depo speedから必要depo timeを換算し、るつぼ上部のsampleをdepo time分るつぼ側へ向けてdepositionする間静置する。deposition終了後直ちにsampleをchamber#2へ戻す。
M Gate Valve #2をCLOSEする。
N DC POWER SUPPLYをOFF、膜厚計;STOP → OFF、冷却水をCLOSEする。