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直径1/50000 mmのシリコンナノワイヤ中で不純物の挙動を捕らえることに成功

次世代縦型トランジスタおよびナノワイヤ太陽電池材料の実現に向けて

2011.02.04
(2011.02.07 更新)

深田 直樹*1 石田 慎哉*2 横野 茂輝*2 滝口 亮*2 Jun Chen*3 関口 隆史*3 村上 浩一*4
*1 MANA独立研究者、PRESTO研究員
*2 筑波大学大学員物質・科学研究科
*3 NIMS半導体材料センター
*4 筑波大学大学員教授

次世代半導体材料として注目されているシリコンナノワイヤ(直径20nm以下)において、キャリア制御のために導入した不純物の状態を非破壊・非接触で検出することに成功し、その挙動を捕らえることに初めて成功した。本研究により、次世代トランジスタの実現へ一歩近づけたといえる。また、本評価手法は、太陽電池の評価手法としても期待できる。

研究概要図

図1.(a)シリコンナノワイヤ中の不純物の偏析挙動の様子と(b)ナノワイヤの縦型トランジスタおよび太陽電池への応用例




記事・報道

■新聞
日刊工業新聞(2011年2月10日22面)


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