次世代半導体材料として注目されているシリコンナノワイヤ（直径20nm以下）において、キャリア制御のために導入した不純物の状態を非破壊・非接触で検出することに成功し、その挙動を捕らえることに初めて成功した。本研究により、次世代トランジスタの実現へ一歩近づけたといえる。また、本評価手法は、太陽電池の評価手法としても期待できる。