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直径20nmのゲルマニウムナノワイヤでの不純物分光に成功

-次世代縦型トランジスタ材料の新しい評価技術の確立-

深田 直樹 ( MANA独立研究者 )

シリコンに代わる次世代半導体材料として注目されているゲルマニウムナノワイヤ(直径20nm以下)において、均一性の高い不純物ドープゲルマニウムナノワイヤの作製に成功するとともに、ドープされた不純物の化学結合状態と電気的活性度を同時に非接触・非破壊で観測することに初めて成功した。

図1(a)ゲルマニウムナノワイヤの電子顕微鏡写真、(b)不純物ドーピングによるp型およびn型、および(c)ナノワイヤを利用した縦型立体構造トランジスタおよび太陽電池の応用例




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