シリコンに代わる次世代半導体材料として注目されているゲルマニウムナノワイヤ（直径20nm以下）において、均一性の高い不純物ドープゲルマニウムナノワイヤの作製に成功するとともに、ドープされた不純物の化学結合状態と電気的活性度を同時に非接触・非破壊で観測することに初めて成功した。