山口 尚秀 主幹研究員と笹間 陽介 NIMSポスドク研究員らの研究成果“High-mobility p-channel wide-bandgap transistors based on hydrogen-terminated diamond/hexagonal boron nitride heterostructures”が論文誌「Nature Electronics」に掲載されました。

■ 関連情報
- Nature Electronics誌
https://doi.org/10.1038/s41928-021-00689-4
- 論文PDF
High-mobility p-channel wide-bandgap transistors based on hydrogen-terminated diamond/hexagonal boron nitride heterostructures