受賞情報
超薄膜エレクトロニクスグループの研究者らがシリコンテクノロジー分科会論文賞を受賞しました
第71回応用物理学会春季学術講演会において、第15回シリコンテクノロジー分科会論文賞が、超薄膜エレクトロニクスグループの女屋 崇 NIMS外来研究者(東京大学大学院 助教)、生田目 俊秀 特命研究員、澤田 朋実 研究業務員らに授与されました。
シリコンテクノロジー分科会は,対象とする材料はシリコンに限らず,Society 5.0 や SDGs の達成に不可欠な集積回路技術を向上するあらゆる材料を包含する幅広い活動をしており、シリコンテクノロジーに関する学術的価値の高い論文の著者に対して贈呈されます。
今回の研究グループは、長年の研究してきた強誘電性に優れたALD-HfxZr1-xO2薄膜をSi基板上へALD-ZrO2核生成層を用いて形成する論文であり、オリジナルなアイデアに基づいた点が高く評価されました。
受賞分類 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞 |
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論文タイトル | Wake-up-free properties and high fatigue resistance of HfxZr1−xO2-based metal–ferroelectric–semiconductor using top ZrO2 nucleation layer at low thermal budget (300 °C) |
雑誌名 | APL Materials |
著者名 | Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita |
DOI | https://doi.org/10.1063/5.0091661 |
Date | 2024年3月23日 |