笹間 陽介 NIMSポスドク研究員（表面量子相物質グループ）が、応用物理学会より「第51回（2021年秋季）応用物理学会講演奨励賞」を受賞いたしました。この賞は、応用物理学の発展に貢献しうる優秀な一般講演論文を発表した若手会員に対して贈られます。

ダイヤモンドは、優れた半導体特性を有することから、次世代半導体材料として期待されています。笹間陽介NIMSポスドク研究員は、六方晶窒化ホウ素をゲート絶縁体として用いるとともに水素終端ダイヤモンド表面を大気に晒さない新しい作製手法を用いることで、高い移動度とノーマリーオフ動作を兼ね備えた高性能ダイヤモンドトランジスタの作製に成功したことを応用物理学会にて発表しました。