右上の図は，圧縮後のＣ断面上における光顕写真です。アンビルエッジから中心にかけて結晶粒が大きく変形し ているのがわかります。この領域では，左上の図で示されているように大きな相当ひずみが導入されています。観察写真から，圧縮前後の結晶粒の厚さを測定することによって，実際に導入された圧縮方向のひずみを知ることが 出来ます。この結果を，接触条件を色々と変えた数値解析結果と比較することで，解析で用いる摩擦係数を決定しました。