研究開発体制
アルミ陽極酸化膜を用いた次世代不揮発性メモリ(ReRAM)の開発
・アルミ陽極酸化膜の作製技術開発とメモリの動作原理解明 （独）物質・材料研究機構 　　・木戸義勇 　　・北澤英明 　　・加藤誠一 　　・北澤英明 　　・児子精祐　（※みすゞR&D)　 　　・柳町 治 　　・李 政祐 　　・井上純一 ・メモリ集積化の技術開発 （株）日本ジー・アイ・ティー 　　・中野嘉博	環境に優しい元素を使用 Al はクラーク数が O、Si に続き３番目
		・メモリの試作　　 国内半導体メーカ 開発協力の形態 　ケース 1： 　　試作仕様書による委託試作 　ケース 2： 　　共同研究による試作
１）物材機構・強磁場共用ステーションの木戸ステーション長がチームリーダーとなり、量子ビームグループの北澤グループリーダと児子特別研究員が主体となって、ReRAM用のアルミ陽極酸化膜とそれを用いたメモリ素子の開発及び動作原理の検証を行う。 ２）物材機構・ナノファウンドリー・ステーションは、クリンルーム設備を使用し、アルミ陽極酸化膜表面に微細電極加工したメモリ素子の試作を支援する。 ３）半導体開発エンジニアリング会社の(株)日本GITは、物材機構が研究開発した結果に基づき、集積化メモリ製造に必要なエンジニアリングを行い、受託試作を専門的に行う半導体メーカと協力して集積化メモリの試作を行う。 ４）物材機構は、集積化メモリの評価結果をアルミ陽極酸化膜の製造条件にフィードバックすることにより、開発目標を達成する。