元素戦略プロジェクト 「アルミ陽極酸化膜を用いた次世代不揮発性メモリの開発」 第１回全体会議　プログラム 日時：平成20年1月17日（木） 会場：（独）物質・材料研究機構　千現地区第１会議室
時 間	講 演 題 目	発 表 者
10:00-10:10	開会挨拶	木戸義勇	物質・材料研究機構
10:10-10:30	資源リスクと元素戦略	原田幸明	物質・材料研究機構
10:30-10:50	NIMSにおける元素戦略プロジェクトの進捗状況	木戸義勇	物質・材料研究機構
10:50-11:30	産業界における次世代不揮発メモリへの要求性能とRRAMの研究開発状況	粟屋信義	（株）シャープ
11:30-12:10	AlOx-ReRAMの研究開発状況	児子精祐	物質・材料研究機構
12:10-13:10	昼 休 み
13:10-13:50	C12A7エレクトライドの電子状態とユニークな物性	細野秀雄	東京工業大学
13:50-14:30	電気抵抗スイッチング現象とは何か？	井上　公	産業技術総合研究所
14:30-15:10	不揮発性抵抗変化メモリ(ReRAM)の最新動向	秋永広幸	産業技術総合研究所
15:10-15:30	休 憩
15:30-16:00	アルミ陽極酸化膜作成と物性	北澤英明	物質・材料研究機構
16:10-16:30	シリコン基板上成膜アルミを用いたAlOx-ReRAMの開発	李　政祐	物質・材料研究機構
16:30-17:00	AlOx-ReRAMの実証回路と集積化技術開発	中野嘉博	（株）日本ジー・アイ・ティー
17:00-17:05	閉会挨拶	木戸義勇	物質・材料研究機構