ナノエレクトロニクスのための新材料・新機能の創製

次世代の超高密度集積回路を実現するためには、微細化を進め低消費電力を達成することが必要であり、同時に多機能化も求められています。問題解決の鍵は新材料開発と界面制御、さらに分野融合です。新材料開発、界面制御技術、ナノ評価技術、有機・無機融合などを駆使して問題解決をめざします。その具体例はシリコン基板と直接接合が可能で誘電率が25を超えるHigh-k材料とそれに対応するメタルゲート材料の開発です。また、強磁場によるサイクロトロン共鳴を使った移動度の計測と電子線を使った欠陥評価の手法など新しいナノエレクトロニクス用の評価手段も開発します。これらの材料と評価手段、それに異分野との融合によって、電荷トラップや分子を使った新しい不揮発性メモリなどを実現します。