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第109回先端計測オープンセミナー

Silicon-On-Insulator (SOI)放射線ピクセル検出器の開発と新学術創成

開催日: 2017.08.24


日時

8月24日 (木) 15:00~16:00

会場

国立研究開発法人 物質・材料研究機構&
千現地区 研究本館8階 中セミナー室
交通案内 →こちら

参加方法及びお問合わせ

事前登録は必要ありません。
当日会場で受付いたします。
お問い合わせは、右記事務局までご連絡ください。

講演者

新井康夫 (高エネルギー加速器研究機構、素粒子原子核研究所、教授)

表題

Silicon-On-Insulator (SOI)放射線ピクセル検出器の開発と新学術創成

講演要旨

高エネルギー加速器を用いた素粒子実験では、ビーム衝突直後に生成される2次粒子の精密測定が重要となっている。このためには崩壊点検出器と呼ばれる半導体ピクセル検出器が用いられるが、現在はセンサーと読み出しLSIを金属バンプを用いて接続している。これを一体化し高性能化するため、高エネ研ではSilicon-On-Insulator(SOI)技術を持ちいたピクセル検出器の開発を行ってきた。2013年からはこの成果を元に新学術領域研究として推進することになり、素粒子実験以外の様々な分野の研究者と連携して研究開発を行う事が出来た。SOI検出器の開発状況と新たな応用分野への広がりについて紹介する。


イベント・セミナーデータ

イベント・セミナー名
第109回先端計測オープンセミナー
Silicon-On-Insulator (SOI)放射線ピクセル検出器の開発と新学術創成
会場
国立研究開発法人 物質・材料研究機構
千現地区 研究本館8階 中セミナー室
開催日: 時間
2017.08.24
15:00~16:00
参加料
無料

お問合わせ

国立研究開発法人 物質・材料研究機構 先端材料解析研究拠点運営室
Tel:029-851-3354 内線3861
Fax:029-859-2801
E-Mail: amc=ml.nims.go.jp([ = ] を [ @ ] にしてください)
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