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ワイドバンドギャップ材料グループ

ダイヤモンド、及び窒化物半導体を中心とするワイドバンドギャップ半導体材料は、省エネルギー化をもたらす次世代の光・電子材料として期待されていますが、伝導度制御や界面制御が難しいこと、また広面積単結晶ウェハがないこと等の課題があります。当グループでは、このような材料固有の問題を解決するために、ワイドバンドギャップ半導体材料間のヘテロ接合、高誘電体との異種接合、更には良質な金属接合およびpn接合界面の形成とキャリア輸送機構、並びに発光機構解明に向けた研究を行います。また、ワイドバンドギャップ半導体材料の高品質化と不純物ドーピング制御についても、基盤研究として実施します。

専門分野・研究対象

第3期において当グループは、 (1) 高誘電体を用いたダイヤモンドFETの作製と動作機構の解明、 (2) ダイヤモンドpn接合センサおよび電子エミッタ源の開発、 (3) 高耐圧ダイヤモンドダイオードの開発、 (4) ダイヤモンドマイクロマシンスイッチの開発、および (5) InGaN薄膜pin接合による光電変換デバイスの開発、に成功してきました。第4期では、これらデバイスの高性能化を目指して、ワイドバンドギャップ材料における接合、ドーピング、欠陥等がデバイス特性に及ぼす影響を理解し、ワイドバンドギャップ材料に適したデバイス設計の指針を示します。


お問い合わせ先

ワイドバンドギャップ材料グループ
〒305-0044 茨城県つくば市並木1-1
TEL: 029-860-4310
E-Mail: kinou-inquiry=ml.nims.go.jp([ = ] を [ @ ] にしてください)
国立研究開発法人物質・材料研究機構
〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
TEL.029-859-2000 (代表)