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ワイドギャップ半導体グループ

ダイヤモンド、及び窒化物半導体を中心とするワイドバンドギャップ半導体材料は、省エネルギー化をもたらす次世代の光・電子材料として期待されていますが、電導度制御や界面制御が難しいこと、大型単結晶ウェハがないこと等、実用上の課題があります。当グループでは、このような材料固有の問題を解決するために、ワイドバンドギャップ半導体材料間のヘテロ接合、高誘電体との異種接合、さらには良質な金属接合およびpn接合界面の形成とキャリア輸送機構、並びに発行機構解明に向けた研究を行います。また、ワイドバンドギャップ半導体材料の高品質化と不純物ドーピング制御についても、基礎研究として実施します。

専門分野・研究対象

第3期において等グループは、(1)高誘電体を用いたダイヤモンドFETの作製と動作機構の解明、(2)ダイヤモンドpn接合センサおよび電子エミッタ源の開発、(3)交代圧ダイヤモンドダイオードの開発、(4)ダイヤモンドマイクロマシンスイッチの開発、および(5)InGaN薄膜pin接合による光電変換デバイスの開発、に成功してきました。第4期では、これらデバイスの高性能化を目指して、ワイドギャップ半導体における接合、ドーピング、欠陥等がデバイス特性に及ぼす影響を理解し、ワイドギャップ半導体に適したデバイス設計の指針を示します。同時に、近年注目を集めているダイヤモンドスピントロニクス研究など、新たな利用分野開発に向けて、極限的性能を引き出す結晶成長技術の高度化に取り組みます。


お問い合わせ先

ワイドギャップ半導体グループ
〒305-0044 茨城県つくば市並木1-1
TEL: 029-860-4310
国立研究開発法人物質・材料研究機構
〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
TEL.029-859-2000 (代表)
FAX.029-859-2029