2016年 研究会のご報告

2016.04.15 更新

「ナノ光電子材料における消光問題の国際的枠組による解決」研究会
主催 物質・材料研究機構 京都大学
協賛 応用物理学会 日本化学会 日本セラミックス協会 電気化学会 日本希土類学会

Solution to quenching problems of nano opto-electronic materials in international framework

 本研究会は国内外から60余名のご参加を頂いて、盛会の内に終了いたしました。ご講演いただいた先生方、ご来場いただいた皆様に厚く御礼申し上げます。多くの方は関西に拠点をお持ちでしたが、飛行機をつかってお越し戴いた方も少なからずいらっしゃいました。

 なぜ「光らなかった」か分からないけれど、ネガティブなことは考えたくない、調べたくない。

というのが、普通の考え方と思います。そのような中で、材料開発の一つの在り方と捉えて頂けたことは、企画者として大変ありがたく思っております。また機会を見つけて、この続き、を皆さんと考えたく思います。
 当日資料をご希望の方は、石井までご連絡ください。今後ともよろしくお願い申し上げます。


 発光材料は蓄光材料・蛍光材料・半導体など多岐にわたり、材料を特徴づける言葉としては漠然としたものとなっている。しかしいずれの発光材料も、実用化のためには極めて高い効率を必要とし、翻って、消光の問題をいかに調べ、解決するかが鍵といえる。本研究会ではこの「消光問題」 (「光らなかった」過程) を取り上げ、国内外の研究者による最新の取り組みを知ることで、アイディアと技術を共有し、各材料の開発に還元することを目的とする。
本研究会は、JSPS外国人研究者招へい事業の援助を頂いて、国際的な枠組みで開催されました。

開催日時    2016年8月19日 (金)  13:00-17:30  (12:30受付開始)

開催場所    京都大学 人間・環境学研究科 大講義室  (写真付アクセスマップ)

講演言語
    英語  (質問は日本語でも可)

参加費     無料 

問合せ先    物質・材料研究機構 表界面物理計測グループ 石井真史
ISHII.Masashi=nims.go.jp ([ = ] を [ @ ] にしてください) 
 
「光らなかった」過程 (応用物理学会誌「応用物理」2016年3月号) の内容に照らして、賛否を問わずご意見いただける方、歓迎いたします。

プログラム
13:00-13:15
Opening Remarks
Fascination of luminescence phenomena and problem of “non-luminescence” phenomena
Masashi Ishii (National Institute for Materials Science, NIMS)
消光過程「光らなかった」過程に取り組む意義
石井 真史 (物質・材料研究機構)

13:15-14:00
【Invite】 Indirect observation of non-radiative de-excitation processes in the Si-nc system
Iain F. Crowe (The University of Manchester) 
【招待講演】シリコンナノ結晶系の非発光脱励起過程の間接観測
イーアン クロー (マンチェスター大学)

14:00-14:45
【Invite】Investigation of ionization quenching process in phosphors with 5d-4f transition by photoconductivity measurement
Jumpei Ueda (Kyoto University)
【招待講演】光伝導度測定による5d-4f 遷移蛍光体におけるイオン化消光プロセスの調査
上田 純平 (京都大学)

14:45-15:00
Break 休憩

15:00-15:45
【Invite】Analysis of radiative and non-radiative processes in oxide phosphors by simultaneous measurement of photoluminescence and photoacoustic signals
Haruki Fukada (Kanazawa Institute of Technology)
【招待講演】光音響・フォトルミネッセンス同時測定法による酸化物蛍光体の発光・非発光過程の解明
深田 晴己 (金沢工業大学)

15:45-16:15
All-inorganic colloidal Si nanocrystals -control of luminescence and surface chemistry by codoping boron and phosphorus
Hiroshi Sugimoto (Kobe University)
コロイド状Siナノ結晶におけるリン、ホウ素同時ドーピングによる発光特性及び表面状態制御
杉本 泰 (神戸大学)

16:15-16:45
Significant enhancement of emission intensity from Eu ions embedded in a GaN micorcavity
Tomohiro Inaba (Osaka University)
GaN微小光共振器におかれたEuイオンからの大幅な発光強度増大
稲葉 智宏 (大阪大学)

16:45-17:15
Panel discussion
Theme 1: Selective “Non-luminescence” process determined by ionic valency
     Panelist: Masayoshi Mikami (MCHC R&D Synergy Center, Inc.) and Tadashi Ishigaki (Tottori University)
Theme 2: Competitive “Non-luminescence” processes observable in combination system of ligands and nano-clusters
     Panelist: Shun Omagari (Hokkaido University) and Taketoshi Matsumoto (Osaka University)

パネルディスカッション
・テーマ1 : イオン価数による 選択的な「光らなかった」過程
     パネリスト : 三上昌義 (MCHCR&Dシナジーセンター)  石垣 雅 (鳥取大学)
・テーマ2 : 配位子とクラスタに観られる 競合的な「光らなかった」過程 
     パネリスト : 大曲 駿 (北海道大学)  松本健俊 (大阪大学)

17:15-
Closing Remarks


世話人

石井真史(物質・材料研究機構)
上田純平(京都大学大学院)
E-Mail: ISHII.Masashi=nims.go.jp([ = ] を [ @ ] にしてください)