スピン物性グループ

磁性の起源である電子スピンを自在に制御する枠組みを開拓し、新たなデバイス展開に向けた研究開発を行う

スピン物性グループでは、磁性の起源である電子スピンを自在に制御する枠組みを開拓し、新たなデバイス展開に向けた研究開発を行っています。磁性材料はその磁化の向きで情報を半永久的に記憶できるため、現在のストレージデバイスのみならず、様々な省エネITデバイスへの応用が期待されています。その実用化に向けて課題となっているのはたとえば、小さなエネルギーで磁化を制御できる技術の確立です。本研究では、省エネ技術に貢献できる革新的な磁化制御技術を確立し、さらにこれまでの延長線上にない磁性材料の新たな機能性を見出せるよう研究を推進しています。具体的には、原子レベルで積層を制御した薄膜へテロ構造において、スピン軌道相互作用に起因する現象などを積極的に利用し、新たな物性、機能性を有する物質の創成を目指し、研究を行っています。

専門分野・研究対象

関連画像

スピン軌道相互作用が大きい金属や半導体では、スピンホール効果によって動的なスピンの流れ、いわゆるスピン流が生成されることが明らかになっています。生成されたスピン流は、例えば隣接する磁性層の磁化にトルクを印加し、磁化制御を可能にします。本グループでは省エネ磁化制御技術への展開を目指した研究を行うとともに、スピン電池やスピントランジスタなどの新たな技術確立に貢献できる研究を行っています。


グループリーダー

(はやし まさみつ)

林 将光

(はやし まさみつ)


お問い合わせ先

スピン物性グループ
〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
E-Mail: HAYASHI.Masamitsu=nims.go.jp([ = ] を [ @ ] にしてください)
国立研究開発法人物質・材料研究機構
〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
TEL.029-859-2000 (代表)
FAX.029-859-2029