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エピタキシャルナノ構造グループ

エピタキシャルナノ構造グループでは分子線エピタキシー (MBE) や有機金属気相成長法 (MOCVD) といった先端的な結晶成長技術を使って、量子ドットなどの半導体ナノ構造の創製を行っています。また、走査トンネル顕微鏡 (STM) や反射高速電子回折 (RHEED) による表面構造の研究を進め、原子レベルでの結晶成長の理解にも取り組んでいます。新しい量子ナノ構造の成長技術の開発を通じて、情報通信をはじめ、環境・エネルギー、セキュリティ、医療やバイオ等の分野で利用可能な発光・受光デバイスや機能デバイスの創出を目指しています。

専門分野・研究対象

半導体ナノ構造の創製

当研究グループではNIMSのオリジナル技術である液滴エピタキシーによるGaAs系量子ドットの高度化に取り組んできました。その結果、量子ドットの高品質化を達成したほか、2連量子ドットや量子リングなどユニークな量子ナノ構造の形成にも成功し、その物性を明らかにしてきました。また、量子ドットを成長する基板面方位の工夫により、ドットの形状と電子構造を制御できることも見出しています。高指数面上の液滴成長には未解明な点が多く、STMやRHEEDを使った成長メカニズムの研究も並行して進めています。このほか、Type-II型バンド配列を持つGaSb/GaAs系の液滴量子ドットの形成技術や、等電子トラップと呼ばれる不純物原子や不純物原子ペアを使った新たな量子ナノ構造の研究も行っています。


お問い合わせ先

エピタキシャルナノ構造グループ
〒305-0044 茨城県つくば市並木1-1
TEL: 029-860-4299
E-Mail: SAKUMA.Yoshiki=nims.go.jp([ = ] を [ @ ] にしてください)
国立研究開発法人物質・材料研究機構
〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
TEL.029-859-2000 (代表)